BC857B,215

Symbol Micros: TBC857b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC857B 3F.. RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2910 0,1120 0,0548 0,0435 0,0416
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Producent: NXP Symbol producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2910 0,1120 0,0548 0,0435 0,0416
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/120000
Producent: NXP Symbol producenta: BC857B,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
176068 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2910 0,1120 0,0548 0,0435 0,0416
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP