BC857B UMW
Symbol Micros:
TBC857b UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | UMW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | UMW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC857B,215
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC857B 3F.. RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2910 | 0,1120 | 0,0548 | 0,0435 | 0,0416 |
Sposób pakowania: 3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC857B 3F.. RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2910 | 0,1120 | 0,0548 | 0,0435 | 0,0416 |
Sposób pakowania: 3000/120000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC857B 3F.. RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
176068 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2910 | 0,1120 | 0,0548 | 0,0435 | 0,0416 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B DIOTEC
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B-DIO
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
540 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2830 | 0,1080 | 0,0525 | 0,0416 | 0,0404 |
Sposób pakowania: 3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B SHIKUES
Tranzystor PNP; 450; 310mW; 45V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BC857B SLKOR
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1880 | 0,0703 | 0,0376 | 0,0281 | 0,0259 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B GALAXY
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2930 | 0,1130 | 0,0552 | 0,0439 | 0,0419 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B HXY MOSFET
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BC857B MLCCBASE
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BC857B JUXING
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie