BC857B

Symbol Micros: TBC857b DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B-DIO
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIOTEC
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3540 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2660 0,1020 0,0500 0,0398 0,0380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIOTEC
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP