Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)

1    76  77  78  79  80  81  82  83  84    90
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Moc strat
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Częstotliwość graniczna
Obudowa
Producent
Układy tranzystorowe [T/N]
Temperatura pracy (zakres)
BC327-40 TO92(bulk) YFW Tranzystor PNP; 630; 625mW; 45V; 800mA; 260MHz; -55°C ~ 150°C;
BC327-40 TO92(bulk) YFW TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BC847BW SOT323(T/R) YFW Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
BC847BW SOT323(T/R) YFW SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BD139-16 TO126 YFW Tranzystor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;
BD139-16 TO126 YFW TO126
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
YFW60P03AD TO-252 YFW Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417;
YFW60P03AD TO-252 YFW TO252
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BD437 TO126 YFW Tranzystor NPN; 85; 1,25W; 45V; 4A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
BD437 TO126 YFW TO126
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2SA1013 SOT89 LGE ODPOWIEDNIK: 2SA1013-LGE;
2SA1013 SOT89 LGE SOT89
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N5401 TO92(bulk) HT SEMI TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BC327-40 TO92(bulk) HT SEMI TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BC558B TO92(bulk) HT SEMI TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
S8050 SOT23 YFW SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BC847BW SOT323(T/R) HT SEMI SOT323
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BC549B TO92 HT SEMI 30V 500mW 200@2mA,5V 100mA NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS
BC549B TO92 HT SEMI TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2SA720 TO92 LGE Tranzystor: PNP; bipolarny; 50V; 0,5A; 0,625W; TO92 ODPOWIEDNIK: 2SA720-LGE;
2SA720 TO92 LGE TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
MMBF170 China N-Channel(with ESD) MOSFET 0.5A 60V 3500mΩ
MMBF170 China SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2SD965A SOT89(T/R) HT SEMI Tranzystor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: 2SD965;
2SD965A SOT89(T/R) HT SEMI SOT89
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
PMBT2907AYSX NEXPERIA Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 6-Pin TSSOP PMBT2907AYSX PMBT2907AYSX
PMBT2907AYSX NEXPERIA SC-88
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2DB1386Q-13 Trans GP BJT PNP 20V 5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
2DB1386Q-13  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2DD1664Q-13 Trans GP BJT NPN 32V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
2DD1664Q-13  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N2894 Tranzystor PNP; 150; 360mW; 12V; 200mA; 400MHz; -65°C ~ 200°C;
2N2894 TO 18
  PNP 150 360mW 12V 200mA 400MHz TO 18 Motorola -65°C ~ 200°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N3019 NPN 1A 140V 800mW 100MHz 2N3019-CDI
2N3019 TO 39
  NPN 100MHz
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BC807-25W-TP Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-323
BC807-25W-TP SOT323
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N4403 PNP Si-Epitaxial Planar-Transistors Odpowiednik: 2N4403-DIO; 2N4403BU; 2N4403TA;
2N4403 TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N5323 Tranzystor PNP; 250; 10W; 50V; 2A; -65°C ~ 200°C;
2N5323 TO 39
  PNP 250 10W 50V 2A TO 39 MULTICOMP -65°C ~ 200°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N5416 Tranzystor PNP; 120; 1W; 300V; 1A; 15MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N5416-CDI;
2N5416 TO 39
  PNP 120 1W 300V 1A 15MHz TO 39 CDIL -65°C ~ 200°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N5551 TO92 Tranzystor NPN; 250; 630mW; 160V; 300mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: 2N5551 C; 2N5551-B; 2N5551-TA; 2N5551L-B-T92-B; 2N5551-AT/P;
2N5551 TO92 TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N5551 SLKOR Tranzystor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
2N5551 SLKOR TO92
  PNP 300 625mW 160V 600mA 300MHz TO92 SLKOR -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N5886 Tranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4V]
2N5886 TO 3
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
NPN 100 200W 80V 25A 4MHz TO 3 Inchange Semiconductors -65°C ~ 200°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-25
Ilość szt.: 200
                   
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-25
Ilość szt.: 200
                   
2N6059 Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6059 TO 3
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
2N6491 Tranzystor PNP; Bipolar; 90V; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C;
2N6491 TO220
  PNP 150 75W 80V 15A 5MHz TO220 SPTECH -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
LGE2N65U LGE Odpowiedniki: BXP2N65U; LGE2N65U; YFW2N65AMJ;
LGE2N65U LGE  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
1    76  77  78  79  80  81  82  83  84    90

Tranzystory bipolarne

Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.

Tranzystor bipolarny – symbol

Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.

Działanie tranzystorów bipolarnych

W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.

Katalog tranzystorów bipolarnych

W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:

  • współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
  • mocą strat,
  • maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • typem obudowy,
  • zakresem temperatury pracy.

Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.

Zapraszamy do współpracy!