Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC3858 (komplet z 2SA1494)
2SA1494 Trans GP BJT PNP 200V 15A 3-Pin MT-200 2SC3858 Trans GP BJT NPN 200V 17A 3-Pin MT-200
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SC4793 YZPST
Tranzystor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC4793,F(J; 2SC4793(F,M);
|
||||||||||||
NPN | 320 | 2W | 230V | 1A | 100MHz | TO220iso | YZPST | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SC5200-O(Q)
Tranzystor NPN; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1943-O; TTC5200 ; 2SC5200OTU; 2SC5200; 2SC5200-O(S1,F,S); C-TCSA1943; 2SC5200T7TL; 2SC5200-O(Q); 2SC5200L-R-B-T3L-T; 2SC5200OTU; 2SC5200T7TL; 2SC5200L-R-B-T3L-T; 2SC5200-O(S1,F; 2SC5200-O-JSM; 2SC5200-O(Q); 2SC5200T7TL;
|
||||||||||||
NPN | 160 | 150W | 230V | 15A | 30MHz | 2-21F1A | TOSHIBA | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SC5200-O JSMICRO
Tranzystor NPN; 160; 180W; 230V; 16A; 15MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC5200-O(Q); 2SC5200-O(S1,F; 2SC5200-O(S1,F,S); 2SC5200OTU; TCSC5200N;
|
||||||||||||
NPN | 160 | 180W | 230V | 16A | 15MHz | TO 3P | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SC5707
Tranzystor NPN; 560; 15W; 50V; 8A; 330MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA2040; 2SC5707-E;
|
||||||||||||
NPN | 560 | 15W | 50V | 8A | 330MHz | TO251 (IPAK) | Sanyo | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SC6011A
Tranzystor NPN; 180; 160W; 230V; 15A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA2150A; 2SA2151A;
|
||||||||||||
NPN | 180 | 160W | 230V | 15A | 20MHz | TO 3P | Inchange Semiconductors | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SD2390 TO3P
Tranzystor NPN Darlington; 20000; 100W; 150V; 10A; 55MHz; -55°C ~ 150°C; (komplementarne 2SB1560-P + 2SD2390)
|
||||||||||||
NPN | 20000 | 100W | 150V | 10A | 55MHz | TO-3P | Sanken | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
2SD2390 JSMICRO
Tranzystor Darlington NPN; 5000; 100W; 150V; 10A; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
Darlington NPN | 5000 | 100W | 150V | 10A | TO 3P | JSMICRO | -55°C ~ 150°C | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-20
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||
2SD965 TO92 UTC
100nA 30V 750mW 5A 340@500mA,2V 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150?@(Tj) 2SD965L-R-T92-B; 2SD965AL-R-T92-B; 2SD965AL-R-T92-K;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
LGE4N65D LGE
LGE4N65D; YFW4N65AD; BXP4N65D;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
LGE4N65F LGE
LGE4N65F; YFW4N65AF; BXP4N65F;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC108B
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC108B-CDI;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 450 | 300mW | 25V | 200mA | 150MHz | TO 18 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||
BC108C
NPN 100mA 30V 300mW 150MHz BC108C-CDI
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 150MHz | |||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||
BC182
Tranzystor NPN; 500; 350mW; 50V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC182-CDI; TBC182B; BC182B-CDI; BC182 PBFREE;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 500 | 350mW | 50V | 100mA | 100MHz | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||
BC307B
Tranzystor PNP; 460; 350mW; 45V; 100mA; 280MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC557B; BC307BRL1G;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
PNP | 460 | 350mW | 45V | 100mA | 280MHz | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||
BC327-25 CDIL
Tranzystor PNP; 400; 625mW; 45V; 800mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
PNP | 400 | 625mW | 45V | 800mA | 100MHz | TO92 | CDIL | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC328-40
Tranzystor PNP; 630; 625mW; 25V; 800mA; 260MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC328-40-DIO; BC328-40-LGE;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
PNP | 630 | 625mW | 25V | 800mA | 260MHz | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||
BC338-16
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 25V; 800mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC337-16; BC338-16-DIO;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 250 | 625mW | 25V | 800mA | 200MHz | TO92 | CDIL | -65°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||
BC338-40
Tranzystor NPN; 600; 625mW; 25V; 800mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC338-40-DIO;
|
||||||||||||
NPN | 600 | 625mW | 25V | 800mA | 200MHz | TO92 | CDIL | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC546B TO92(ammo)
Tranzystor NPN; 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
NPN | 450 | 500mW | 65V | 100mA | 300MHz | TO92ammoformed | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC548B
Tranzystor NPN; 450; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 450 | 625mW | 30V | 100mA | 150MHz | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-28
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||
BC548B TO-92(AMMO,FORMED) LGE
Tranzystor NPN; 400; 500mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC548BBU; BC548B-DIO; BC548BBK; BC548B B1G;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||
BC556B
Tranzystor PNP; 460; 625mW; 65V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC556B CDIL;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
PNP | 460 | 625mW | 65V | 100mA | 150MHz | TO92formed | LGE | -55°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||
BC557A
Tranzystor PNP; 220; 500mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
PNP | 220 | 500mW | 45V | 100mA | 100MHz | TO92 | CDIL | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC557A DIOTEC
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo ODPOWIEDNIK: BC557A-DIO;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC639-10
Tranzystor NPN; 160; 1W; 80V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC639-10-CDI; BC639-10-AP;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 160 | 1W | 80V | 1A | 200MHz | TO92 | CDIL | -55°C ~ 150°C | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-24
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||
BC807-40 MLCCBASE
Tranzystor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
|
||||||||||||
PNP | 600 | 250mW | 45V | 500mA | 80MHz | SOT23 | MLCCBASE | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC808-25 SOT23 CDIL
Tranzystor PNP; 400; 310mW; 25V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC818-25; BC808-25LT1G; BC808-25-DIO;
|
||||||||||||
PNP | 400 | 310mW | 25V | 800mA | 100MHz | SOT23 | DIOTEC | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BC817-16 SOT23 Kingtronics
Tranzystor NPN; 250; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; packing: tape/reel
|
||||||||||||
NPN | 250 | 200mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | KINGTRONICS | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!