Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFS17A smd
Tranzystor NPN; 90; 300mW; 15V; 25mA; 2,8GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFS17A-GS08; BFS17A,215; BFS17A,235;
|
||||||||||||
NPN | 90 | 300mW | 15V | 25mA | 2,8GHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BFS17W NXP
Tranzystor NPN; 150; 280mW; 15V; 25mA; 2,5GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFS17WH6327XTSA1 INFINEON; BFS17W H6327; BFU550WU replacement for BFS17W,135;
|
||||||||||||
NPN | 150 | 280mW | 15V | 25mA | 2,5GHz | SOT323 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BFU690F,115
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 230mW 4-Pin(3+Tab) DFP
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BU2508DF iso
Tranzystor NPN; 13; 45W; 700V; 8A; -65°C ~ 150°C; Dioda;
|
||||||||||||
NPN | 13 | 45W | 700V | 8A | TO 3Piso (SOT199) | -65°C ~ 150°C | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BU2520DF SOT199
Tranzystor NPN; 13; 45W; 800V; 10A; -65°C ~ 150°C; Dioda; Odpowiednik: BU2520DX;
|
||||||||||||
NPN | 13 | 45W | 800V | 10A | TO 3Piso (SOT199) | -65°C ~ 150°C | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BU508DF iso
Tranzystor NPN; 30; 34W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
NPN | 30 | 34W | 700V | 8A | 7MHz | TO 3Piso (SOT199) | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BU931T STMicroelectronics
Tranzystor NPN; 300; 125W; 400V; 10A; -65°C ~ 175°C; Odpowiednik: BU931T-ST;
|
||||||||||||
NPN | 300 | 125W | 400V | 10A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 175°C | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BUK7Y12-100EX NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R BUK7Y12-100EX BUK7Y12-100EX
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BUK9M6R6-30EX NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
BUV48A
Tranzystor NPN; 8; 125W; 450V; 15A; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 8 | 125W | 450V | 15A | TO 3P | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 100
|
|||||||||||
BXP18N50F BRIDGELUX
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
C2M1000170D Cree/Wolfspeed
N-MOSFET 1700V 4.9A
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
D44H8G
Tranzystor NPN; 60; 2W; 60V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
NPN | 60 | 2W | 60V | 10A | 50MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
D45H11FP STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
DDTC113ZUA-7-F
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
DMN3023L-7
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
DXTN07100BP5-13
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
EMH3FHAT2R
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
FMMT458 SHIKUES
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT458TA; FMMT458TC;
|
||||||||||||
NPN | 300 | 500mW | 400V | 225mA | 50MHz | SOT23 | SHIKUES | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
FMMT491 China
NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||
FZT649
Tranzystor NPN; 300; 3W; 25V; 3A; 240MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT949TA;
|
||||||||||||
NPN | 300 | 3W | 25V | 3A | 240MHz | SOT223 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
FZT788B
Tranzystor PNP; 1500; 2W; 15V; 3A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT788BTA; FZT788BTC;
|
||||||||||||
PNP | 1500 | 2W | 15V | 3A | 100MHz | SOT223 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
IAUT300N08S5N012
SP001434098 IAUT300N08S5N012ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
KSA1220A
Tranzystor PNP; 320; 1,2W; 160V; 1,2A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do KSC2690/KSC2690A; KSA1220AYS; KSA1220AYSTU;
|
||||||||||||
PNP | 320 | 1,2W | 160V | 1,2A | 175MHz | TO126 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
KSH122TF
Tranzystor NPN; 12000; 1,75W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
NPN | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | TO252 (DPACK) | Fairchild | -65°C ~ 150°C | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
LGE18N50F LGE
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
LGE2N65D TO252 LGE
Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||
LND150N3-G
Tranzystor MOSFET N-CH; 740mW; 500V; 30mA; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
N-MOSFET | 740mW | 500V | 30mA | TO92 | Supertex | -55°C ~ 150°C | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
LP395Z
Tranzystor NPN; 36V; 100mA; -40°C ~ 125°C; Odpowiednik: LP395Z/NOPB;
|
||||||||||||
NPN | 36V | 100mA | TO92 | Texas Instruments | -40°C ~ 125°C | |||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
LPSC2301
20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Podobny do BSS83P;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!