Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)

1    82  83  84  85  86  87  88  89  90    90
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Moc strat
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Częstotliwość graniczna
Obudowa
Producent
Układy tranzystorowe [T/N]
Temperatura pracy (zakres)
BFS17A smd Tranzystor NPN; 90; 300mW; 15V; 25mA; 2,8GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFS17A-GS08; BFS17A,215; BFS17A,235;
BFS17A smd SOT23
  NPN 90 300mW 15V 25mA 2,8GHz SOT23 NXP -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BFS17W NXP Tranzystor NPN; 150; 280mW; 15V; 25mA; 2,5GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFS17WH6327XTSA1 INFINEON; BFS17W H6327; BFU550WU replacement for BFS17W,135;
BFS17W NXP SOT323
  NPN 150 280mW 15V 25mA 2,5GHz SOT323 Infineon Technologies -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BFU690F,115 Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 230mW 4-Pin(3+Tab) DFP
BFU690F,115 DFP04
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BU2508DF iso Tranzystor NPN; 13; 45W; 700V; 8A; -65°C ~ 150°C; Dioda;
BU2508DF iso TO 3Piso (SOT199)
  NPN 13 45W 700V 8A TO 3Piso (SOT199) -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BU2520DF SOT199 Tranzystor NPN; 13; 45W; 800V; 10A; -65°C ~ 150°C; Dioda; Odpowiednik: BU2520DX;
BU2520DF SOT199 TO 3Piso (SOT199)
  NPN 13 45W 800V 10A TO 3Piso (SOT199) -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BU508DF iso Tranzystor NPN; 30; 34W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 150°C;
BU508DF iso TO 3Piso (SOT199)
  NPN 30 34W 700V 8A 7MHz TO 3Piso (SOT199) Inchange Semiconductors -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BU931T STMicroelectronics Tranzystor NPN; 300; 125W; 400V; 10A; -65°C ~ 175°C; Odpowiednik: BU931T-ST;
BU931T STMicroelectronics TO220
  NPN 300 125W 400V 10A TO220 STMicroelectronics -65°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BUK7Y12-100EX NEXPERIA Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R BUK7Y12-100EX BUK7Y12-100EX
BUK7Y12-100EX NEXPERIA  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BUK9M6R6-30EX NEXPERIA Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX
BUK9M6R6-30EX NEXPERIA  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
BUV48A Tranzystor NPN; 8; 125W; 450V; 15A; -65°C ~ 150°C;
BUV48A TO 3P
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
NPN 8 125W 450V 15A TO 3P STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 100
                   
BXP18N50F BRIDGELUX Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
BXP18N50F BRIDGELUX  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
C2M1000170D Cree/Wolfspeed N-MOSFET 1700V 4.9A
C2M1000170D Cree/Wolfspeed TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
D44H8G Tranzystor NPN; 60; 2W; 60V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
D44H8G TO220
  NPN 60 2W 60V 10A 50MHz TO220 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
D45H11FP STMicroelectronics Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
D45H11FP  STMicroelectronics TO220FP
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
DDTC113ZUA-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
DDTC113ZUA-7-F  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
DMN3023L-7 Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
DMN3023L-7 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
DXTN07100BP5-13 Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
DXTN07100BP5-13 PowerDI3333-8
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
EMH3FHAT2R Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
EMH3FHAT2R SOT563
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
FMMT458 SHIKUES Tranzystor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT458TA; FMMT458TC;
FMMT458 SHIKUES SOT23
  NPN 300 500mW 400V 225mA 50MHz SOT23 SHIKUES -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
FMMT491 China NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
FMMT491 China SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 3000
                   
FZT649 Tranzystor NPN; 300; 3W; 25V; 3A; 240MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT949TA;
FZT649 SOT223
  NPN 300 3W 25V 3A 240MHz SOT223 DIODES -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
FZT788B Tranzystor PNP; 1500; 2W; 15V; 3A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT788BTA; FZT788BTC;
FZT788B SOT223
  PNP 1500 2W 15V 3A 100MHz SOT223 DIODES -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
IAUT300N08S5N012 SP001434098 IAUT300N08S5N012ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
IAUT300N08S5N012  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
KSA1220A Tranzystor PNP; 320; 1,2W; 160V; 1,2A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do KSC2690/KSC2690A; KSA1220AYS; KSA1220AYSTU;
KSA1220A TO126
  PNP 320 1,2W 160V 1,2A 175MHz TO126 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
KSH122TF Tranzystor NPN; 12000; 1,75W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;
KSH122TF TO252 (DPACK)
  NPN 12000 1,75W 100V 8A TO252 (DPACK) Fairchild -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
LGE18N50F LGE Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
LGE18N50F LGE  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
LGE2N65D TO252 LGE Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
LGE2N65D TO252 LGE TO252
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 500
                   
LND150N3-G Tranzystor MOSFET N-CH; 740mW; 500V; 30mA; -55°C ~ 150°C;
LND150N3-G TO92
  N-MOSFET 740mW 500V 30mA TO92 Supertex -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
LP395Z Tranzystor NPN; 36V; 100mA; -40°C ~ 125°C; Odpowiednik: LP395Z/NOPB;
LP395Z TO92
  NPN 36V 100mA TO92 Texas Instruments -40°C ~ 125°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
LPSC2301 20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Podobny do BSS83P;
LPSC2301 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                   
1    82  83  84  85  86  87  88  89  90    90

Tranzystory bipolarne

Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.

Tranzystor bipolarny – symbol

Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.

Działanie tranzystorów bipolarnych

W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.

Katalog tranzystorów bipolarnych

W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:

  • współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
  • mocą strat,
  • maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • typem obudowy,
  • zakresem temperatury pracy.

Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.

Zapraszamy do współpracy!