Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M8050 SOT23
0.2W 800mA NPN Bipolar Trans.
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MBT3904DW1T1G
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS LRC LMBT3904DW1T1G;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJ15024
Tranzystor NPN; 60; 250W; 250V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C;
|
||||||||||||
NPN | 60 | 250W | 250V | 16A | 4MHz | TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 200°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJD127
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 MJD127-LGE
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJD31C CDIL
Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G;
|
||||||||||||
NPN | 50 | 1,25W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 | LGE | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJD32CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Tranzystor PNP; 50; 1,6W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
PNP | 50 | 1,6W | 100V | 3A | 3MHz | DPAK | Nexperia | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJD45H11-1G
Trans GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJD6039T4G
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJE13005
Tranzystor; bipolarny; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
YFW13005AT
Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||
NPN | 35 | 2W | 700V | 4A | 4MHz | TO220 | YFW | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJE15030G
Tranzystor NPN; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
NPN | 40 | 2W | 150V | 8A | 30MHz | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MJE340G JSMICRO
Tranzystor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU;
|
||||||||||||
NPN | 240 | 20W | 300V | 500mA | TO126 | JSMICRO | -65°C ~ 150°C | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBT2907A DIOTEC
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 MMBT2907A-DIO
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBT3904 CJ
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904,215; MMBT3904-7-F; MMBT3904LT1G; MMBT3904LT3G; MMBT3904-13-F; MMBT3904-TP; MMBT3904 RFG;
|
||||||||||||
NPN | 300 | 250mW | 40V | 200mA | 300MHz | SOT23 | CJ | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBT3904HE3-TP
Bipolar (BJT) Transistor 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBT5551HE3-TP
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBT8050D(1.5A)
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBT8550D(1.5A)
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBTA06 China
NPN 500mA 80V 225mW 100MHz
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBTA14 China
Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz; Tranzystor: NPN; bipolarny; Darlington; 30V; 0,3A; 300mW; SOT23 MMBTA14-YAN
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBTA56 China
PNP -500mA -80V 225mW 50MHz
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBTA94 DIOTEC
Trans GP BJT PNP 400V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R ODPOWIEDNIK: MMBTA94-DIO;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMBTRC101SS
Tranzystor: NPN ; bipolarny ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k? SMD Digital NPN Transistors ; MMBTRC101SS-DIO
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMPQ2222A
Tranzystor NPN; 300; 1W; 40V; 500mA; 350MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||
NPN | 300 | 1W | 40V | 500mA | 350MHz | SOP16 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MMSS8550-H-TP
Trans GP BJT PNP 25V 1.5A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MPS2907A TO92(bulk,straight pin) CJ
60V 625mW 100@150mA,10V 600mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MPS2907A(RANGE:200-300);
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MPS2907A TO92(bulk,straight) LGE
Tranzystor: PNP; bipolarny; 60V; 0,8A; TO92 ODPOWIEDNIK: MPS2907A-LGE;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MPS2907A-TA TO92(ammo,formed) CJ
60V 625mW 100@150mA,10V 600mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MPS2907A-TA(RANGE:200-300);
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MPSA06 DIOTEC
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 ODPOWIEDNIK: MPSA06BK-DIO;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||
MPSA44
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C; MPSA44 FOSHAN ; MPSA444 CJ ; MPSA44G-T92-A-B UTC ;
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!