Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)

1    154  155  156  157  158  159  160  161  162    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
TK22E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK22E10N1,S1X(S || TK22E10N1,S1X(S TO220
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK22E10N1,S1X(S
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
6900 szt.
Ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7809
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK25E60X,S1X(S PWR-MOSFET N-CHANNEL
TK25E60X,S1X(S || TK25E60X,S1X(S  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK25E60X,S1X(S
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
250 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,8912
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK34E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK34E10N1,S1X(S || TK34E10N1,S1X(S TO220
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK34E10N1,S1X(S
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1257
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK39N60W,S1VF(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK39N60W,S1VF(S || TK39N60W,S1VF(S  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK39N60W,S1VF(S
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2900 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,5258
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK39N60X,S1F(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK39N60X,S1F(S || TK39N60X,S1F(S TO247
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK39N60X,S1F(S
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
360 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,4291
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK40S06N1L,LQ(O MOSFETs Silicon N-channel MOS
TK40S06N1L,LQ(O || TK40S06N1L,LQ(O  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK40S06N1L,LQ(O
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6422
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK49N65W,S1F(S Trans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK49N65W,S1F(S || TK49N65W,S1F(S TO247
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK49N65W,S1F(S
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
690 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,6302
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK4P60DB(T6RDV,Q,S Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TK4P60DB(T6RSS-Q)
TK4P60DB(T6RSS-Q) || TK4P60DB(T6RDV,Q,S  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0927
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK55S10N1,LQ(O Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
TK55S10N1,LQ(O || TK55S10N1,LQ(O  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK55S10N1,LQ(O
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4986
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK56E12N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK56E12N1,S1X(S || TK56E12N1,S1X(S TO220
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK56E12N1,S1X(S
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9633
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK65E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK65E10N1,S1X(S || TK65E10N1,S1X(S  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK65E10N1,S1X(S
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK6A60W,S4VX(M Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK6A60W,S4VX(M || TK6A60W,S4VX(M TO220iso
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK6A60W,S4VX(M
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7756
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK6A65D(STA4,Q,M) Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK6A65D(STA4,Q,M) || TK6A65D(STA4,Q,M) TO220iso
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK6A65D(STA4,Q,M)
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
33360 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1904
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TK8P60W,RVQ(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
TK8P60W,RVQ(S || TK8P60W,RVQ(S DPAK
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TK8P60W,RVQ(S
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2946
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TP0610K SOT23 P-MOSFET 185mA 60V 350mW 6Ω
TP0610K-T1-E3 || TP0610K-T1-GE3 || TP0610K SOT23 SOT23
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
TP0610K-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
14990 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4159
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
TP0610K-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4285
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
TP0610K-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET
TPHR8504PL,L1Q Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance TPHR8504PL,L1Q(M
TPHR8504PL,L1Q(M || TPHR8504PL,L1Q SOP08
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TPHR8504PL,L1Q(M
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4358
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TPN22006NH Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NH,LQ(S || TPN22006NH  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TPN22006NH,LQ(S
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6761
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TPN7R506NH Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
TPN7R506NH,L1Q(M || TPN7R506NH  
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
TPN7R506NH,L1Q(M
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2416
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TSM220NB06CR RLG N-Ch 60V 35A 68W 0,022R PDFN56 TSM220NB06CR ; TSM220NB06CR RLG ; TSM220NB06CRRLG;
TSM220NB06CR RLG || TSM220NB06CR RLG  
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM220NB06CR RLG
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1957
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TSM250NB06DCR RLG DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TSM250NB06DCR RLG || TSM250NB06DCR RLG  
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM250NB06DCR RLG
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0066
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TSM650P02CX MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 TSM650P02CX RFG ; Zamiennik za wycofany z produkcji TSM2301ACX RFG;
TSM650P02CX RFG || TSM650P02CX SOT23
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P02CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1944
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P02CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3744
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P02CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4381
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
UMZ1NTR / UMZ1NT1G Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW UMZ1NFHATR
UMZ1NT1G || UMZ1NTR / UMZ1NT1G SC70-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
UMZ1NT1G
Obudowa dokładna:
SC70-3
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1204
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
VN10LP N-CHANNEL DMOS FET 0.27A 60V 270mA 0.625W 5Ω
VN10LP || VN10LP TO92
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
VN10LP
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1112
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-FET
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
VN10LP
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
4664 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1528
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-FET
VN2222LL-G Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 VN2222LL-G-P003; VN2222LLG;
VN2222LL-G || VN2222LL-G TO92
Producent:
Microchip
Symbol Producenta:
VN2222LL-G
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1855
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
VND14NV04-E Tranzystor OMNI-FET; 40V; 70mOhm; 12A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND14NV04-E; VND14NV04TR-E;
VND14NV04TR-E || VND14NV04-E TO252
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND14NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8109
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 40V 70mOhm 12A 74W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND14NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
455000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6968
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 40V 70mOhm 12A 74W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND14NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
190000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6987
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 40V 70mOhm 12A 74W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
VND3NV04TR-E MOSFET POWER OMNIFET II DPAK VND3NV0413TR; VND3NV04-E; VND3NV04TR-E; VND3NV04;
VND3NV04TR-E || VND3NV04TR-E TO252 (DPAK)
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND3NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2048
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
VND7NV04 Tranzystor OMNI-FET; 40V; 120mOhm; 6A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND7NV04-E; VND7NV04TR-E;
VND7NV04TR-E || VND7NV04 TO252
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND7NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6873
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 40V 120mOhm 6A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND7NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
285000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6053
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 40V 120mOhm 6A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND7NV04TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6016
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 40V 120mOhm 6A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
VNN1NV04P-E Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 VNN1NV04PTR-E
VNN1NV04PTR-E || VNN1NV04P-E SOT223
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNN1NV04PTR-E
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3109
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNN1NV04PTR-E
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
602000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1434
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNN1NV04PTR-E
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
333000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1419
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
VNS1NV04D-E Tranzystor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR; VNS1NV04DP-E; VNS1NV04DPTR-E;
VNS1NV04DPTR-E || VNS1NV04D-E SOP08
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS1NV04DPTR-E
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1332
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xOMNI-FET 40V 500mOhm 1,7A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS1NV04DPTR-E
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xOMNI-FET 40V 500mOhm 1,7A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS1NV04DPTR-E
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9045
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xOMNI-FET 40V 500mOhm 1,7A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
ZVN2120GTA Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN2120GTA || ZVN2120GTA  
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZVN2120GTA
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZVN2120GTA
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5029
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    154  155  156  157  158  159  160  161  162    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.