Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK22E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK22E10N1,S1X(S Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK25E60X,S1X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK25E60X,S1X(S Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK34E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK34E10N1,S1X(S Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK39N60W,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK39N60W,S1VF(S Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK39N60X,S1F(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK39N60X,S1F(S Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
360 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK40S06N1L,LQ(O
MOSFETs Silicon N-channel MOS
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK40S06N1L,LQ(O Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK49N65W,S1F(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK49N65W,S1F(S Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
690 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK4P60DB(T6RDV,Q,S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TK4P60DB(T6RSS-Q)
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK4P60DB(T6RSS-Q) Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK55S10N1,LQ(O
Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK55S10N1,LQ(O Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK56E12N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK56E12N1,S1X(S Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK65E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK65E10N1,S1X(S Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK6A60W,S4VX(M
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK6A60W,S4VX(M Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK6A65D(STA4,Q,M)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK6A65D(STA4,Q,M) Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
33360 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TK8P60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TK8P60W,RVQ(S Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TP0610K SOT23
P-MOSFET 185mA 60V 350mW 6Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TP0610K-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
14990 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TP0610K-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: TP0610K-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance TPHR8504PL,L1Q(M
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TPHR8504PL,L1Q(M Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TPN22006NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN22006NH,LQ(S
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TPN22006NH,LQ(S Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TPN7R506NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TPN7R506NH,L1Q(M Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TSM220NB06CR RLG
N-Ch 60V 35A 68W 0,022R PDFN56 TSM220NB06CR ; TSM220NB06CR RLG ; TSM220NB06CRRLG;
|
||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM220NB06CR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TSM250NB06DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM250NB06DCR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
TSM650P02CX
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 TSM650P02CX RFG ; Zamiennik za wycofany z produkcji TSM2301ACX RFG;
|
||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
UMZ1NTR / UMZ1NT1G
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW UMZ1NFHATR
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: UMZ1NT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
VN10LP
N-CHANNEL DMOS FET 0.27A 60V 270mA 0.625W 5Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: VN10LP Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-FET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: VN10LP Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
4664 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-FET | ||||||||||||||
VN2222LL-G
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 VN2222LL-G-P003; VN2222LLG;
|
||||||||||||||||
Producent:
Microchip Symbol Producenta: VN2222LL-G Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
VND14NV04-E
Tranzystor OMNI-FET; 40V; 70mOhm; 12A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND14NV04-E; VND14NV04TR-E;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND14NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 40V | 70mOhm | 12A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND14NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
455000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 40V | 70mOhm | 12A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND14NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
190000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 40V | 70mOhm | 12A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
VND3NV04TR-E
MOSFET POWER OMNIFET II DPAK VND3NV0413TR; VND3NV04-E; VND3NV04TR-E; VND3NV04;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND3NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
VND7NV04
Tranzystor OMNI-FET; 40V; 120mOhm; 6A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND7NV04-E; VND7NV04TR-E;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND7NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 40V | 120mOhm | 6A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND7NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
285000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 40V | 120mOhm | 6A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND7NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 40V | 120mOhm | 6A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
VNN1NV04P-E
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 VNN1NV04PTR-E
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNN1NV04PTR-E Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNN1NV04PTR-E Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
602000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNN1NV04PTR-E Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
333000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
VNS1NV04D-E
Tranzystor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR; VNS1NV04DP-E; VNS1NV04DPTR-E;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNS1NV04DPTR-E Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xOMNI-FET | 40V | 500mOhm | 1,7A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNS1NV04DPTR-E Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xOMNI-FET | 40V | 500mOhm | 1,7A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNS1NV04DPTR-E Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xOMNI-FET | 40V | 500mOhm | 1,7A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||
ZVN2120GTA
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZVN2120GTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZVN2120GTA Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.