Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMN3A14FTA
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN3A14FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN3A14FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ZXMN6A07FQTA DIODES
N-MOSFET 60V 0.25A
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A07FQTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A07FQTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ZXMN6A08GTA
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A08GTA Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 80mOhm | 5,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SAWSMD2.0x1.6 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A08GTA Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 80mOhm | 5,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SAWSMD2.0x1.6 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A08GQTA Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 80mOhm | 5,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SAWSMD2.0x1.6 | DIODES | |||||
ZXMP10A13FQTA
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω AEC-Q101 ZXMP10A13FQTC
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A13FQTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | -100V | 20V | 1Ohm | -0,7A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A13FQTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | -100V | 20V | 1Ohm | -0,7A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
ZXMP10A16KTC DIODES
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 285mOhm; 4,6A; 9,76W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A16KTC Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 285mOhm | 4,6A | 9,76W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Zetex | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A16KTC Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 285mOhm | 4,6A | 9,76W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Zetex | |||||
ZXMP10A18GTA
Trans MOSFET P-CH 100V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A18GTA Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A18GTA Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC
P-MOSFET 3.8A 100V 2.17W 0.15Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A18KTC Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A18KTC Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
28500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A18KTC Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
ZXMP3A13FTA DIODES
Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP3A13FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP3A13FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP3A13FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ZXMP6A13FTA
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 600mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A13FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
537000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 600mOhm | 1,1A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A13FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 600mOhm | 1,1A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A13FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 600mOhm | 1,1A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
ZXMP6A17E6TA
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 3A; 1,92W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A17E6TA Obudowa dokładna: SOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 3A | 1,92W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | |||||
ZXMP6A17GTA Diodes
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 4,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A17GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 4,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A17GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
282000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 4,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
ZXMP6A18DN8TA DIODES
2xP-MOSFET 60V 4.6A
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A18DN8TA Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
45500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A18DN8TA Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A18DN8TA Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ZXMP7A17GTA
Tranzystor P-MOSFET; 70V; 20V; 250mOhm; 3,7A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP7A17GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
38000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 70V | 20V | 250mOhm | 3,7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP7A17GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 70V | 20V | 250mOhm | 3,7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP7A17GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 70V | 20V | 250mOhm | 3,7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
ZXMS6004SGTA
N-MOSFET 1.3A 60V 1W 0.5Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004SGTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004SGTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004SGTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSC009NE2LS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC009NE2LS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC256N10LSFGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC265N10LSFGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI006P02PW DComponents
MOSFET, -20V, -6A, P, 2W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DI006P02PW Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3980 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI010N03PW DComponents
MOSFET, 30V, 10A, N, 1.4W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DI010N03PW Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3980 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DI035N10PT DComponents
MOSFET, 100V, 35A, N, 25W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DI035N10PT Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3256 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 Diodes
N-MOSFET 12V 11A 10mΩ 690mW
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMN1019UFDE-7 Obudowa dokładna: uDFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPZ40N04S55R4ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF40R207
Trans MOSFET N-CH Si 90V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF40R207 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF9Z14PBF
P-MOSFET 6.7A 60V IRF9Z14 IRF9Z14PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9Z14PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFH5020
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 55mOhm; 5,1A; 3,6W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH5020TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH5020TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 20V | 55mOhm | 5,1A | 3,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | INFINEON | ||||
IRLH5030
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP IRLH5030TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLH5030TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
MMBFJ113
Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ113 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 35V | 35V | 100Ohm | 2mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
MMBFJ270 ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: MMBFJ270 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
MUN2212T1G ONSemiconductors
NPN 50V 100mA 246mW
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2212T1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS05DN-T1-GE3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,8mOhm; 108A; 65,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS05DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 5,8mOhm | 108A | 65,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||
DMP3010LPS-13
P-MOSFET 36A 30V 58.7W 0.0075Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3010LPS-13 Obudowa dokładna: POWERDI5060-8 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.