Tranzystory polowe (wyszukane: 5478)

1    161  162  163  164  165  166  167  168  169    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
G86N06K Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,; TO-252 DMT6006LK3; IRFR1018E;
G86N06K Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT100N12D5 Goford Semiconductor N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; DFN8L SiR696DP; BSC077N12NS3 G
GT100N12D5 Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT100N12T Goford Semiconductor N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; TO-220 SUP70090E; IPP076N12N3 G
GT100N12T Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT105N10T Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220 SUP70090E
GT105N10T Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT110N06S Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1; SOP-8 TPH14006NH,L1Q; RS3L045GNGZETB
GT110N06S Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT52N10T Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M; TO-220 SUP70090E; IRFB4710
GT52N10T Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT55N06D5 Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@; DFN5*6-8L GKI06109;
GT55N06D5 Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT650N15K Goford Semiconductor N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
GT650N15K Goford Semiconductor  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT700P08S Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -80V; -6.5A; 3W; -2.5V; 60mΩ
GT700P08S SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
10N65 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F 10N65-LGE
10N65 TO220iso
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
EPC2067 TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC2067 DIE
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
EPC2070 TRANS GAN DIE 100V .022OHM
EPC2070 DIE
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF5210 TO220 110V 35A 26m?@10V,15A 180W 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS IRF5210PBF-JSM; IRF5210PBF;
IRF5210 TO220 TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFR5305TRPBF TO252 (DPACK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF1404 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
IRF1404 TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF7314TR Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7314PBF; IRF7314TRPBF; SP001562198; SP001570224;
IRF7314TR SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF3710 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
IRF3710 TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF7303 SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
2N7000 TO92(BULK) TO92
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STP75NF75 TO220 80V 96A 6.2m?@10V,40A 1 N-channel HSTP75NF75, STP75NF75-VB;
STP75NF75 TO220 TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
TPM2301LS3 SOT23 SI2301; YFW2301B; TPM2301LS3;
TPM2301LS3 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AO3407 SOT-23 XBLW ODPOWIEDNIK: KO3407; YJL3407C; AO3407;
AO3407 SOT-23 XBLW SOT23
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 3000
                     
IRF7425TRPBF SOP8 TECH PUBLIC Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT;
IRF7425TRPBF SOP8 TECH PUBLIC SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF9540N TO220 100V 23A 140W 0.117?@10V,11A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
IRF9540N TO220 TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
YJL05N04C YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
YJL05N04C SOT23
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 3000
                     
YJL03N06C YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C.
YJL03N06C SOT23
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 3000
                     
BSS123K-TP Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS123K-TP SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLR120N TO-252 100V 10A 0.265?@4V,5A 48W 2V 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS VBSEMI IRLR120NTRPBF-VB; IRLR120NTRPBF;
IRLR120N TO-252 TO252 (DPACK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3) Podobny do SIS438DN-T1-GE3; (PTQ6002 RDS smaller)
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3)  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRF640NS D2PAK Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT; IRF640NSTRRPBF;
IRF640NS D2PAK TO263 (D2PAK)
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 100
                     
1    161  162  163  164  165  166  167  168  169    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.