Tranzystory polowe (wyszukane: 5478)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G86N06K Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,; TO-252 DMT6006LK3; IRFR1018E;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT100N12D5 Goford Semiconductor
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; DFN8L SiR696DP; BSC077N12NS3 G
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT100N12T Goford Semiconductor
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; TO-220 SUP70090E; IPP076N12N3 G
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT105N10T Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220 SUP70090E
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT110N06S Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1; SOP-8 TPH14006NH,L1Q; RS3L045GNGZETB
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT52N10T Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M; TO-220 SUP70090E; IRFB4710
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT55N06D5 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@; DFN5*6-8L GKI06109;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT650N15K Goford Semiconductor
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT700P08S
Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -80V; -6.5A; 3W; -2.5V; 60mΩ
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
10N65
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F 10N65-LGE
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
EPC2070
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF5210 TO220
110V 35A 26m?@10V,15A 180W 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS IRF5210PBF-JSM; IRF5210PBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF1404
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7314TR
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7314PBF; IRF7314TRPBF; SP001562198; SP001570224;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STP75NF75 TO220
80V 96A 6.2m?@10V,40A 1 N-channel HSTP75NF75, STP75NF75-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPM2301LS3 SOT23
SI2301; YFW2301B; TPM2301LS3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AO3407 SOT-23 XBLW
ODPOWIEDNIK: KO3407; YJL3407C; AO3407;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
IRF7425TRPBF SOP8 TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF9540N TO220
100V 23A 140W 0.117?@10V,11A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
YJL05N04C
YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
YJL03N06C
YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C.
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
BSS123K-TP
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLR120N TO-252
100V 10A 0.265?@4V,5A 48W 2V 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS VBSEMI IRLR120NTRPBF-VB; IRLR120NTRPBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3)
Podobny do SIS438DN-T1-GE3; (PTQ6002 RDS smaller)
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF640NS D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT; IRF640NSTRRPBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 100
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.