Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDN361BN
N-MOSFET 1.4A 30V 0.5W 0.11Ω OBSOLETE;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G2003A
Tranzystor MOSFET; SOT-23-3L; N-Channel; NO ESD; 190V; 3A; 1.8W; 1.7V; 430mΩ~540mΩ; 440mΩ~560mΩ FDN86246-D;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FDP20N50 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 230mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDP20N50F; FDP20N50; CSD18532KCS;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 30V | 230mOhm | 20A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FDP8860 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,8mOhm; 80A; 254W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,8mOhm | 80A | 254W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FDS9934C
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 10V/12V; 50mOhm/90mOhm; 6,5A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 90mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FDT434P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 83mOhm; 6A; 3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 8V | 83mOhm | 6A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FDY301NZ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 10Ohm; 200mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 20V | 12V | 10Ohm | 200mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FDY302NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SC-89 T/R
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQA11N90C_F109
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,1Ohm; 11A; 300W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FQA11N90C-F109;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,1Ohm | 11A | 300W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQA30N40 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 140mOhm; 30A; 290W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 400V | 30V | 140mOhm | 30A | 290W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQA36P15
Tranzystor P-Channel MOSFET; 150V; 30V; 90mOhm; 36A; 294W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 150V | 30V | 90mOhm | 36A | 294W | THT | -55°C ~ 175°C | TO 3P | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQA6N90C Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6,4A; 198W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FQA6N90C_F109;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 900V | 30V | 2,3Ohm | 6,4A | 198W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQA70N15 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 25V; 28mOhm; 70A; 330W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 25V | 28mOhm | 70A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQA9N90C
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 280W; TO3PN FQA9N90C-F109 FQA9N90C_F109
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,4Ohm | 9A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO-3P | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQB27P06TM
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 60V | 25V | 70mOhm | 27A | 120W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQB6N80TM
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,95Ohm; 5,8A; 158W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 800V | 30V | 1,95Ohm | 5,8A | 158W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQD2N100TM
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 1000V | 30V | 9Ohm | 1,6A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQD4P40TM ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQD5P20TM
Tranz. P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 1,4Ohm; 3,7A; 45W; -55°C ~ 150°C
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 1
|
||||||||||||
FQP13N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 13,6A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 13,6A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQP17N40
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 270mOhm; 16A; 170W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 400V | 30V | 270mOhm | 16A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQP3P50 Fairchild
Tranzystor P-Channel MOSFET; 500V; 30V; 4,9Ohm; 2,7A; 85W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 500V | 30V | 4,9Ohm | 2,7A | 85W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQP4P40
Tranzystor P-Channel MOSFET; 400V; 30V; 3,1Ohm; 3,5A; 85W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 400V | 30V | 3,1Ohm | 3,5A | 85W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQP85N06 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 10mOhm; 85A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 25V | 10mOhm | 85A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQPF20N06 Fairchild
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 25V | 60mOhm | 15A | 30W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 30A; 62W; -55°C ~ 175°C; FQPF47P06YDTU;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 30A | 62W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220/3Q iso | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQS4901TF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 400V; 25V; 4,2Ohm; 450mA; 2W; -55°C ~ 150°C; FQS4901; FQS4901TF;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 400V | 25V | 4,2Ohm | 450mA | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
FQU13N06LTU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 145mOhm; 11A; 28W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 145mOhm | 11A | 28W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G01N20LE Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9, SOT-23-3L FDN86246-D; G2003A GOFORD;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G01N20RE
Tranzystor MOSFET; TO-92; N-Channel; YES ESD; 200V; 1.7A; 3W; 1.8V; 0.58Ω; 0.62Ω
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.