Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP034N03LG
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP034N03LGXKSA1
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF1404
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF1404 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 230A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3205PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; SP001559536;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 80A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3205S JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; SP001576776; SP001576758; SP001564448;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 20V | 8mOhm | 110A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3710PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 80A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3711
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3711PBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 20V | 20V | 8,5mOhm | 110A | 120W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF3808PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3808PBF; SP001563250;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF4905
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF; EV-IRF4905-T3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF5210 TO220
110V 35A 26m?@10V,15A 180W 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS IRF5210PBF-JSM; IRF5210PBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF530NS TO-263-2 VBsemi Elec
100V 20A 1V 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G45P40T
Tranzystor MOSFET; TO-220; P-Channel; NO ESD; -40V; -45A; 80W; ; -1.5V; 10.5mΩ; 15mΩ IRF5305;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF5305PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 35A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF530N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF530N
TO-220AB MOSFETs ROHS IRF530NPBF; IRF530N-VB; IRF530NPBF-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF540PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP30NF10; IRF540PBF; IRF540;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF540N
100V 35A 25m?@10V,12A 70W 2.3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF6215
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF6215LPBF IRF6215PBF
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF6218S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 150V; 20V; 150mOhm; 27A; 250W; -55°C ~ 175°C; IRF6218SPBF, IRF6218STRLPBF
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 150V | 20V | 150mOhm | 27A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF640NS D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT; IRF640NSTRRPBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7103TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103PBF; IRF7103TRPBF; SP001563458; SP001562004;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 40mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7204 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE: IRF7204TRPBF; IRF7204PBF; podobny do: IRF7204TRPBF-VB;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 12V | 100mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7204TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7204PBF; IRF7204TRPBF; SP001574762; SP001551198;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 5,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7204TR
20V 13A 15mOhm@4.5V,13A P Channel SOP-8-4.0mm MOSFETs IRF7204TR-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7210
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 12V; 10mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 12V | 12V | 10mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G13P04S
Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -40V; -13A; 3W; -1.8V; 13mΩ IRF7240TRPBF; DMP4025LK3Q
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.