Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    171  172  173  174  175  176  177  178  179    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRFS4610 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 73A; 190W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4610PBF; IRFS4610TRLPBF;
IRFS4610 TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 73A 190W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFS59N10D Tranzystor N-MOSFET; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS59N10DTRLP; IRFS59N10DPBF; IRFS 59N 10D PBF;
IRFS59N10D TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 30V 25mOhm 59A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFSL11N50A Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 550mOhm; 11A; 190W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFSL11N50APBF;
IRFSL11N50A TO262
  N-MOSFET 500V 30V 550mOhm 11A 190W THT -55°C ~ 175°C TO262 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFSL9N60A smd Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 9,2A; 170W; -55°C ~ 150°C; IRFSL9N60A; IRFSL9N60APBF;
IRFSL9N60A smd TO262
  N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 9,2A 170W THT -55°C ~ 150°C TO262 International Rectifier
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFU024PBF Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 14A; 42W; -55°C ~ 150°C;
IRFU024PBF TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 14A 42W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFU120Z N-MOSFET 8,7A 100V 35W IRFU120ZPBF; IRFU120ZPBF-VB;
IRFU120Z TO251 (IPACK)
  N-MOSFET
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFU310 Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 3,6Ohm; 1,7A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU310PBF;
IRFU310 TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 400V 20V 3,6Ohm 1,7A 25W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFU7546PBF INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C;
IRFU7546PBF INFINEON IPAK
  N-MOSFET 60V 20V 8,5mOhm 71A 99W THT -55°C ~ 175°C IPAK Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFZ24NPBF Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFZ24N;
IRFZ24NPBF TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFZ44NL Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44NLPBF;
IRFZ44NL TO262
  N-MOSFET 55V 20V 17,5mOhm 49A 94W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRFZ46NL Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C;
IRFZ46NL TO262
  N-MOSFET 55V 20V 16,5mOhm 53A 107W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRL2910PBF International Recitifier Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C;
IRL2910PBF International Recitifier TO220
  N-MOSFET 100V 16V 40mOhm 55A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRL530NS TO-263 MOSFETs ROHS IRL530NSPBF-VB;
IRL530NS TO263
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRL540N Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF;
IRL540N TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRL6372TR 30V 8.5A 16mOhm @ 10V,8.5A 2N-CHANNEL SO-8 MOSFETs ROHS IRL6372TR-VB; IRL6372TRPBF-VB; IRL6372TRPBF;
IRL6372TR SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRL7472L1TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 40V 59A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
IRL7472L1TRPBF DirectFET
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLIZ34N Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 22A; 37W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLIZ34NPBF;
IRLIZ34N TO220iso
  N-MOSFET 55V 16V 60mOhm 22A 37W THT -55°C ~ 175°C TO220iso Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML0030 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML0040 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML0060 SOT23L HUASHUO SEMICONDUCTOR SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML0060 SOT23 TECH PUBLIC SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML0100 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;
IRLML0100 SOT23
  N-MOSFET 100V 20V 310mOhm 2A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2030 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2060 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2244 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C~150°C; Podobny do: FS3401;
IRLML2244 SOT23
  P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,2A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2244 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4,9A; 1,31W; -55°C~150°C;
IRLML2244 SOT23
  P-MOSFET 20V 12V 55mOhm 4,9A 1,31W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Leiditech
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
TPIRLML2244TRPBF SOT23 TEC Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Podobny do IRLML2244TRPBF; IRLML2244PBF; IRLML2244TRPBF; TCJ2321; IRLML2244;
TPIRLML2244TRPBF SOT23 TEC SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2246 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2402 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SKML2402;
IRLML2402 SOT23
  N-MOSFET 20V 12V 350mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML2502TRPBF Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
IRLML2502TRPBF SOT23-3
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 20V 12V 50mOhm 5A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 VBsemi
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-18
Ilość szt.: 3000
                     
1    171  172  173  174  175  176  177  178  179    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.