Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7307TRPBF
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm/140mOhm; 5,2A/4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7307PBF; IRF7307TRPBF; IRF7307PBF-GURT; IRF7307;
|
|||||||||||||
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
CJQ4953/SOP8
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7316TRPBF; IRF7316PBF-GURT; IRF7316; CJQ4953; CJQ4953/SOP8;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7380Q
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 73mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 20V | 73mOhm | 3,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G18P03S
Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -30V; -15A; 3.1W; -1.6V; 8.1mΩ; 10.5mΩ IRF7425; AOSP21307
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7476
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 12V; 30mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 12V | 12V | 30mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7507TR
N/P-MOSFET HEXFET 2.4A, 1.7A 20V 1.25W 0.14Ω obsolete; LTB:31-JULY-2024; IRF7507TRPBF
|
|||||||||||||
N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF7580MTRPBF
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF820 TO220 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,5A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | LGE | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF9310
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9310TRPBF; IRF9310PBF; IRF9310TRPBF&-9-VB; IRF9310TR; IRF9310TRPBF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 20A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF9310
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20A; 2,8Ohm; 20V; 2,5W; -55°C~150°C; Odpowiednik: CJ CJQ9435; IRF9310TR UMW; IRF9310TRPBF&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TRPBF; IRF9310TR; CJQ9435/SOP8;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 2,8Ohm | 20A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRF9510SPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9510SPBF; IRF9510STRRPBF; IRF9510STRLPBF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 4A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFB20N50KPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 280W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 30V | 250mOhm | 20A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFB23N15DPBF Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 90mOhm; 23A; 136W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 30V | 90mOhm | 23A | 136W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFB3256PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,4mOhm; 206A; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,4mOhm | 206A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFB41N15D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 45mOhm; 41A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB41N15DPBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 30V | 45mOhm | 41A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFHM9331 Infineon
P-MOSFET 30V 14,6mΩ 2.8W IRFM9331TRPBF
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 25V | 10mOhm | 11A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFI4410ZPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 30V; 9,3mOhm; 43A; 47W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 30V | 9,3mOhm | 43A | 47W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFI4510GPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 13,5mOhm; 35A; 42W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 13,5mOhm | 35A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFIZ48NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16mOhm; 40A; 54W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 20V | 16mOhm | 40A | 54W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFL9110
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFP4410ZPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4410ZPBF; IRFP4410Z;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 9mOhm | 97A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFP4710
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 72A; 190W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4710PBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 72A | 190W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFPS37N50A SUPER247
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 130mOhm; 36A; 446W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPS37N50APBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 30V | 130mOhm | 36A | 446W | THT | -55°C ~ 150°C | SUPER-247 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFR024N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 25A; 50W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 33mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFR13N20DTRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 235mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR13N20DTRPBF; IRFR13N20DPBF; IRFR13N20D;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 200V | 30V | 235mOhm | 13A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFR220NTR
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRFR220NTRPBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFR3607TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TRPBF-ML; IRFR3607TRPBF-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFR3707Z
N-MOSFET 56A 30V 50W IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF-GURT
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 9,5Ohm | 56A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRFR3710Z TO252(DPAK) RoHS
IRFR3710ZTR-VB; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRPBF-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.