Tranzystory polowe (wyszukane: 5485)

1    173  174  175  176  177  178  179  180  181    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
FS2301S Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C~150°C; FS2301S; IRLML6402; FS2301S;
FS2301S SOT23
  P-MOSFET 20V 12V 95mOhm 3,6A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML6402 (SKML6402) SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 150mOhm; 3A; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
IRLML6402 (SKML6402) SHIKUES SOT23
  P-MOSFET 20V 10V 150mOhm 3A SMD SOT23 SHIKUES
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML6402 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
IRLML6402 SOT23
  P-MOSFET 20V 12V 135mOhm 3,7A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML9301 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLML9303 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLR120N TO-252 100V 10A 0.265?@4V,5A 48W 2V 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS VBSEMI IRLR120NTRPBF-VB; IRLR120NTRPBF;
IRLR120N TO-252 TO252 (DPACK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLR2905 DPAK Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP0015;
IRLR2905 DPAK TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 38mOhm 30A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLR2905TRPBF-ML MOSLEADER Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420
IRLR2905TRPBF-ML MOSLEADER TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 20mOhm 50A 45W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) MOSLEADER
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLR3717 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TRPBF-VB; IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF;
IRLR3717 TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 20V 20V 5,5mOhm 120A 89W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) VBsemi
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLR8729TR TO-252 MOSFETs ROHS
IRLR8729TR TO252
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G80N03K Tranzystor MOSFET; TO-252; N-Channel; NO ESD; 30V; 80A; 69W; 1.6V; 3.5mΩ; 5mΩ AOD4132; IRLR8743PbF
G80N03K TO252
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLU3705Z Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU3705ZPBF;
IRLU3705Z TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLZ44ZPBF Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44ZPBF; IRLZ44ZLPBF; IRLZ44Z;
IRLZ44ZPBF TO220
  N-MOSFET 55V 16V 22,5mOhm 51A 80W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLZ44ZS smd Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44ZSPBF; IRLZ44ZSTRPBF; IRLZ44ZSPBF-GURT; IRLZ44ZSTRLPBF; IRLZ44ZSTRRPBF;
IRLZ44ZS smd TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 55V 16V 22,5mOhm 51A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G04P10HE Tranzystor MOSFET; SOT-223; P-Channel; YES ESD; -100V; -4A; 1.2W; -1.55V; 177mΩ; 190mΩ ISP16DP10LM;
G04P10HE SOT223
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXFZ520N075T2 Trans MOSFET N-CH 75V 465A 6-Pin Case DE-475
IXFZ520N075T2  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXTH120P065T Single P-Channel 65 V 10 mOhm 185 nC 298 W Silicon Flange Mount Mosfet
IXTH120P065T TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXTQ22N50P Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
IXTQ22N50P TO 3P
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
LND150N8-G Microchip Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1000Ohm; 30mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
LND150N8-G Microchip SOT89
  N-MOSFET 500V 20V 1000Ohm 30mA 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Supertex
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MCM3400A-TP Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
MCM3400A-TP DFN06
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MMBF5458 ON Semiconductor Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
MMBF5458 ON Semiconductor SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MMFTN6001 MOSFET, SOT-23, 60V, 0.440A, N, ODPOWIEDNIK: MMFTN6001-DIO;
MMFTN6001 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MMFTP3401 DIOTEC Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: MMFTP3401-DIO;
MMFTP3401 DIOTEC SOT23
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-31
Ilość szt.: 3000
                     
MMFTP84 Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R MMFTP84-DIO;
MMFTP84 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MSJPF11N65-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MSJPF11N65-BP  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MTD3055VL Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 15V; 180mOhm; 12A; 48W; -55°C ~ 175°C;
MTD3055VL TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 60V 15V 180mOhm 12A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NDT456P SOT223 Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65°C ~ 150°C;
NDT456P SOT223 SOT223
  P-MOSFET 30V 20V 54mOhm 7,5A 3W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD25P03LG DPAK UMW NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
NTD25P03LG DPAK UMW TO252 (DPACK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD2955-1G Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 12A; 55W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: NTD2955T4G; NTD2955G;
NTD2955-1G TO251 (IPACK)
  P-MOSFET 60V 20V 180mOhm 12A 55W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD5862NT4G Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK
NTD5862NT4G DPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    173  174  175  176  177  178  179  180  181    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.