Tranzystory polowe (wyszukane: 5485)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS2301S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C~150°C; FS2301S; IRLML6402; FS2301S;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 12V | 95mOhm | 3,6A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLML6402 (SKML6402) SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 150mOhm; 3A; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 10V | 150mOhm | 3A | SMD | SOT23 | SHIKUES | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLML6402
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 12V | 135mOhm | 3,7A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLR120N TO-252
100V 10A 0.265?@4V,5A 48W 2V 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS VBSEMI IRLR120NTRPBF-VB; IRLR120NTRPBF;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLR2905 DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP0015;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 38mOhm | 30A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLR2905TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 20mOhm | 50A | 45W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLR3717
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TRPBF-VB; IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 20V | 20V | 5,5mOhm | 120A | 89W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | VBsemi | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLR8729TR
TO-252 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G80N03K
Tranzystor MOSFET; TO-252; N-Channel; NO ESD; 30V; 80A; 69W; 1.6V; 3.5mΩ; 5mΩ AOD4132; IRLR8743PbF
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLU3705Z
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU3705ZPBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 16V | 12mOhm | 89A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLZ44ZPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44ZPBF; IRLZ44ZLPBF; IRLZ44Z;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 16V | 22,5mOhm | 51A | 80W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IRLZ44ZS smd
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44ZSPBF; IRLZ44ZSTRPBF; IRLZ44ZSPBF-GURT; IRLZ44ZSTRLPBF; IRLZ44ZSTRRPBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 16V | 22,5mOhm | 51A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G04P10HE
Tranzystor MOSFET; SOT-223; P-Channel; YES ESD; -100V; -4A; 1.2W; -1.55V; 177mΩ; 190mΩ ISP16DP10LM;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IXFZ520N075T2
Trans MOSFET N-CH 75V 465A 6-Pin Case DE-475
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IXTH120P065T
Single P-Channel 65 V 10 mOhm 185 nC 298 W Silicon Flange Mount Mosfet
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
IXTQ22N50P
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
LND150N8-G Microchip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1000Ohm; 30mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 20V | 1000Ohm | 30mA | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Supertex | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MMBF5458 ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MMFTN6001
MOSFET, SOT-23, 60V, 0.440A, N, ODPOWIEDNIK: MMFTN6001-DIO;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MMFTP3401 DIOTEC
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: MMFTP3401-DIO;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-31
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
MMFTP84
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R MMFTP84-DIO;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MSJPF11N65-BP
N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MTD3055VL
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 15V; 180mOhm; 12A; 48W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 60V | 15V | 180mOhm | 12A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
NDT456P SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 20V | 54mOhm | 7,5A | 3W | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
NTD25P03LG DPAK UMW
NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
NTD2955-1G
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 12A; 55W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: NTD2955T4G; NTD2955G;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 12A | 55W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
NTD5862NT4G
Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.