Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN2R4-30MLDX
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10,7mOhm; 120A; 405W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10,7mOhm | 120A | 405W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PTL03N10 SOT-23
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-23 Odpowiednik: AOSS62934; FDN8601;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-15
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3)
Podobny do SIS438DN-T1-GE3; (PTQ6002 RDS smaller)
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
R6015KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 15A; 60W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 600V | 30V | 290mOhm | 15A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RD01MUS2B-T113
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 600mA; 3,6W; -40°C ~ 125°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 25V | 10V | 600mA | 3,6W | SMD | -40°C ~ 125°C | SOT89 | Mitsubishi Electric | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RFD14N05L
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1330EDL
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 Odpowiednik: SI1330EDL-T1-E3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1902DL-T1-E3
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 630mOhm; 660mA; 270mW; -55°C ~ 150°C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 630mOhm | 660mA | 270mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPM2301LS3 SOT23
SI2301; YFW2301B; TPM2301LS3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; KSI2302CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 20V | 10V | 59mOhm | 2,9A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G29
Tranzystor MOSFET; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -15V; -4.1A; 1.05W; -0.55V; ; 24mΩ SI2305-TP;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2306-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 20A | 620mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G05P06L
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AS3401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 96mOhm; 4,4A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 12V | 96mOhm | 4,4A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
LGE3415ES
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 podobny do: SI3415B-TP;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | -20V | 10V | 50mOhm | -4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI3900DV
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 200mOhm; 2A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1; SI3900DV; SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1-GE3; SI3900DV-T3;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 200mOhm | 2A | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4410BDY-T1-E3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 7,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4410DY
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4435BDY
P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | -30V | 20V | 20mOhm | -9,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G2K8P15S
Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2.2A; 2.5W; -2.2V; 277mΩ Si4455DY;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4463BDY
P-MOSFET -13.7A -20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
|
|||||||||||||
P-MOSFET | -20V | 12V | 11mOhm | -13,7A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4948EY-T1-E3
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 3,1A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.