Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    173  174  175  176  177  178  179  180  181    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
PSMN2R4-30MLDX Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
PSMN2R4-30MLDX LFPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10,7mOhm; 120A; 405W; -55°C ~ 175°C;
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 100V 20V 10,7mOhm 120A 405W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) NXP
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PSMN4R2-80YSEX LFPAK56 (SOT669)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc. PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PTL03N10 SOT-23 Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-23 Odpowiednik: AOSS62934; FDN8601;
PTL03N10 SOT-23 SOT23
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-15
Ilość szt.: 3000
                     
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3) Podobny do SIS438DN-T1-GE3; (PTQ6002 RDS smaller)
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3)  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
R6015KNX Rohm Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 15A; 60W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
R6015KNX Rohm Semiconductor TO220FP
  N-MOSFET 600V 30V 290mOhm 15A 60W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ROHM
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
RD01MUS2B-T113 Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 600mA; 3,6W; -40°C ~ 125°C;
RD01MUS2B-T113 SOT89
  N-MOSFET 25V 10V 600mA 3,6W SMD -40°C ~ 125°C SOT89 Mitsubishi Electric
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
RFD14N05L Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C;
RFD14N05L TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 50V 50V 10V 100mOhm 14A 48W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor HSMT8 (3.2x3)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM SOT883
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM DFN1010-3W
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI1330EDL Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 Odpowiednik: SI1330EDL-T1-E3;
SI1330EDL SC70-3
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI1902DL-T1-E3 Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 630mOhm; 660mA; 270mW; -55°C ~ 150°C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
SI1902DL-T1-E3 SC70-6
  2xN-MOSFET 20V 12V 630mOhm 660mA 270mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
TPM2301LS3 SOT23 SI2301; YFW2301B; TPM2301LS3;
TPM2301LS3 SOT23 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; KSI2302CDS-T1-GE3;
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU SOT23
  N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 2,9A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G29 Tranzystor MOSFET; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -15V; -4.1A; 1.05W; -0.55V; ; 24mΩ SI2305-TP;
G29 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI2306-TP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620mW; -55°C~150°C;
SI2306-TP SOT23
  N-MOSFET 30V 20V 65mOhm 20A 620mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MCC
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G05P06L Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
G05P06L SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AS3401 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 96mOhm; 4,4A; 1,2W; -55°C~150°C;
AS3401 SOT23
  P-MOSFET 30V 12V 96mOhm 4,4A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
LGE3415ES P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 podobny do: SI3415B-TP;
LGE3415ES SOT23
  P-MOSFET -20V 10V 50mOhm -4A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI3900DV Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 200mOhm; 2A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1; SI3900DV; SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1-GE3; SI3900DV-T3;
SI3900DV TSOP06
  2xN-MOSFET 20V 12V 200mOhm 2A 830mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4410BDY-T1-E3 Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
SI4410BDY-T1-E3 SOP08
  N-MOSFET 30V 20V 20mOhm 7,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4410DY Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
SI4410DY SOP08
  N-MOSFET 30V 20V 20mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4435BDY P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
SI4435BDY SOP08
  P-MOSFET -30V 20V 20mOhm -9,1A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G2K8P15S Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2.2A; 2.5W; -2.2V; 277mΩ Si4455DY;
G2K8P15S SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4463BDY P-MOSFET -13.7A -20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
SI4463BDY SOP08
  P-MOSFET -20V 12V 11mOhm -13,7A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4463BDY BYCHIP SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SI4948EY-T1-E3 Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
SI4948EY-T1-E3 SOP08
  2xP-MOSFET 60V 20V 150mOhm 3,1A 2,4W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 VISHAY
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    173  174  175  176  177  178  179  180  181    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.