Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    175  176  177  178  179  180  181  182  183    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLZ44ZPBF Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44ZPBF; IRLZ44ZLPBF; IRLZ44Z;
IRLZ44ZPBF TO220
  N-MOSFET 55V 16V 22,5mOhm 51A 80W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRLZ44ZS smd Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44ZSPBF; IRLZ44ZSTRPBF; IRLZ44ZSPBF-GURT; IRLZ44ZSTRLPBF; IRLZ44ZSTRRPBF;
IRLZ44ZS smd TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 55V 16V 22,5mOhm 51A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G04P10HE Tranzystor MOSFET; SOT-223; P-Channel; YES ESD; -100V; -4A; 1.2W; -1.55V; 177mΩ; 190mΩ ISP16DP10LM;
G04P10HE SOT223
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXFZ520N075T2 Trans MOSFET N-CH 75V 465A 6-Pin Case DE-475
IXFZ520N075T2  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXTH120P065T Single P-Channel 65 V 10 mOhm 185 nC 298 W Silicon Flange Mount Mosfet
IXTH120P065T TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXTQ22N50P Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
IXTQ22N50P TO 3P
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
LND150N8-G Microchip Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1000Ohm; 30mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
LND150N8-G Microchip SOT89
  N-MOSFET 500V 20V 1000Ohm 30mA 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Supertex
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MSJPF11N65-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MSJPF11N65-BP  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MTD3055VL Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 15V; 180mOhm; 12A; 48W; -55°C ~ 175°C;
MTD3055VL TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 60V 15V 180mOhm 12A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NDT456P SOT223 Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65°C ~ 150°C;
NDT456P SOT223 SOT223
  P-MOSFET 30V 20V 54mOhm 7,5A 3W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD25P03LG DPAK UMW NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
NTD25P03LG DPAK UMW TO252 (DPACK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD2955-1G Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 12A; 55W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: NTD2955T4G; NTD2955G;
NTD2955-1G TO251 (IPACK)
  P-MOSFET 60V 20V 180mOhm 12A 55W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD5862NT4G Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK
NTD5862NT4G DPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD5865N TO252 TO252 (DPACK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTD5867NLT4G Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 36W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE;
NTD5867NLT4G TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 50mOhm 20A 36W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTLUS3A18PZTAG P-MOSFET 20V 8.2A 18mΩ 700mW
NTLUS3A18PZTAG uDFN06
  P-MOSFET -20V 8V 18mOhm -8,2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C UDFN6 ON SEMICONDUCTOR
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G33N03D52 Tranzystor MOSFET; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 30V; 33A; 29W; 1.85V; 8mΩ; 26mΩ NTMFD4C20NT1G; NTMFD4C20NT3G
G33N03D52 DFN08(5x6)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVBG015N065SC1 onsemi SIC MOS D2PAK-7L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NVBG015N065SC1 onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVD5C648NLT4G Trans MOSFET Single N-Channel Power; 60V; 18A; Automotive;
NVD5C648NLT4G DPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVH4L015N065SC1 onsemi SIC MOS TO247-4L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NVH4L015N065SC1 onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVMFS6B14NLT1G Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL
NVMFS6B14NLT1G DFN5
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVMFWS014P04M8LT1G P-Channel 40 V 12.5A (Ta), 52.1A (Tc) 3.6W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFWS014P04M8LT1G DFN5
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVTFS5116PLWFTAG Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP
NVTFS5116PLWFTAG WDFN8(5x6)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NXH010P120MNF1PG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PG onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NXH010P120MNF1PNG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PNG onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NXH010P120MNF1PTNG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PTNG onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PD20015-E STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
PD20015-E  STMicroelectronics PowerSO-10
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3404_R1_00001 SOT-23, MOSFET PJA3404-R1; PJA3404_R2_00001; PJA3404_R1_00001;
PJA3404_R1_00001 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3415A_R1_00001 SOT-23, MOSFET PJA3415A_R1_00001; PJA3415A_R2_00001
PJA3415A_R1_00001 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3461_R1_00001 SOT-23, MOSFET PJA3461_R1_00001; PJA3461_R2_00001;
PJA3461_R1_00001 SOT-23 t/r
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    175  176  177  178  179  180  181  182  183    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.