Tranzystory polowe (wyszukane: 5451)

1    162  163  164  165  166  167  168  169  170    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
G66 Tranzystor MOSFET; DFN2*2-6L; P-Channel; NO ESD; -16V; -5.8A; 1.7W; -0.7V; ; 32mΩ~45mΩ; AON2403; 1216D2 GOFORD; G69A GOFORD
G66 DFN06
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G12P03D3 Tranzystor MOSFET; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; -30V; -12A; 3W; -1.6V; 17mΩ; 24.5mΩ AON3419
G12P03D3 DFN08(3x3)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AON7230 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 47A; 54W; -55°C ~ 150°C;
AON7230 DFN08
  N-MOSFET 100V 20V 22mOhm 47A 54W SMD -55°C ~ 150°C DFN08 ALPHA&OMEGA
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AONR21117 P-MOSFET 20V 34A
AONR21117 DFN08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AONR66820  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AONS21357 Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -36A; 19W; DFN5x6
AONS21357 DFN08
  P-MOSFET 30V 25V 7,8mOhm 36A 19W SMD -55°C ~ 150°C DFN08 ALPHA&OMEGA
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AONS66811  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AOT12N50 Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C;
AOT12N50 TO220
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 500V 30V 520mOhm 12A 250W THT -55°C ~ 150°C TO220 ALPHA&OMEGA
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-30
Ilość szt.: 50
                     
AOTF11S65L N-MOSFET 650V 11A
AOTF11S65L TO220FP
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
G90P04F Tranzystor MOSFET; TO-220F; P-Channel; NO ESD; -40V; -68A; 83W; -1.5V; 6mΩ; 8mΩ AOTF4185;
G90P04F TO220F
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AOTF4N90 Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 3,6Ohm; 4A; 37W; -55°C ~ 150°C;
AOTF4N90 TO220iso
  N-MOSFET 900V 30V 3,6Ohm 4A 37W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AOTF8N80 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,63Ohm; 7,4A; 50W; -55°C ~ 150°C;
AOTF8N80 TO220iso
  N-MOSFET 800V 30V 1,63Ohm 7,4A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AOTL66810 Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; +/-20V; 1,25mOhm; 420A; 425W; -55°C~175°C;
AOTL66810  
  N-MOSFET 80V 20V 1,25mOhm 420A 425W SMD -55°C ~ 175°C 8-PowerSFN ALPHA&OMEGA
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AOY2610E Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,5mOhm; 36,5A; 23,5W; -55°C~150°C;
AOY2610E TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 9,5mOhm 36A 23,5W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) ALPHA&OMEGA
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AP0704GMT N-MOSFET 40V 62A 44,6W PMP6 AP0704GMT-HF AP0704GMT-HF-3 AP0704GMT-H
AP0704GMT PMPAK5x6
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC SOT-23 MOSFETs RoHS Podobny do: AP2310GN-HF-3; VBsemi AP2310GN-VB;
AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AP2311GN SOT-23-3 MOSFETs ROHS Odpowiednik: AP2311GN-VB; AP2311GN-HF; AP2311GN-HF-3-B22D;
AP2311GN SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AP2311GN JGSEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
AP2311GN JGSEMI SOT23
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 60V 20V 240mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-25
Ilość szt.: 500
                     
AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 4,1A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
  N-MOSFET 60V 20V 110mOhm 4,1A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
APT68GA60LD40 Tranzystor IGBT; PT; 600V; 300V; 198nC; 68A; 520W; -55°C~150°C;
APT68GA60LD40 TO264
  IGBT 600V 30V 4,7Ohm 68A 520W THT -55°C ~ 150°C TO264 MICROCHIP
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRF3805S-7P International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 2,6mOhm; 240A; 300W; -55°C ~ 175°C;
AUIRF3805S-7P International Rectifier D2PAK/7
  N-MOSFET 55V 20V 2,6mOhm 240A 300W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK/7 Infineon Technologies
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRF7103Q Trans N-MOSFET Si 50V 3A Automotive AUIRF7103QTR
AUIRF7103Q SOP08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRF7313QTR Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,9A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
AUIRF7313QTR SOP08
  2xN-MOSFET 30V 20V 46mOhm 6,9A 2,4W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 International Rectifier
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRFR9024NTRPBF-VB TO252 VBsemi Elec TO252
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRFS8409-7P International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 0,75mOhm; 522A; 375W; -55°C ~ 175°C;
AUIRFS8409-7P International Rectifier D2PAK/7
  N-MOSFET 40V 20V 0,75mOhm 522A 375W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK/7 International Rectifier
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRGDC0250 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube AUIRGDC0250AKMA1
AUIRGDC0250 TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRLR2905Z International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL;
AUIRLR2905Z International Rectifier TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 55V 16V 22,5mOhm 60A 110W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AUIRLR3636 MOSFET N-CH 60V 99A Automotive AUIRLR3636TRL
AUIRLR3636 DPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BF245B Tranzystor N-FET; 30V; 30V; 30V; 15mA; 300mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF545B SMD SOT23; obsolete;
BF245B TO92
  N-FET 30V 30V 30V 15mA 300mW THT -65°C ~ 150°C TO92
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BF998 smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
BF998 smd SOT143
  N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    162  163  164  165  166  167  168  169  170    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.