Tranzystory polowe (wyszukane: 5451)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G66
Tranzystor MOSFET; DFN2*2-6L; P-Channel; NO ESD; -16V; -5.8A; 1.7W; -0.7V; ; 32mΩ~45mΩ; AON2403; 1216D2 GOFORD; G69A GOFORD
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G12P03D3
Tranzystor MOSFET; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; -30V; -12A; 3W; -1.6V; 17mΩ; 24.5mΩ AON3419
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AON7230
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 47A; 54W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 22mOhm | 47A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AONR21117
P-MOSFET 20V 34A
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AONS21357
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -36A; 19W; DFN5x6
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 25V | 7,8mOhm | 36A | 19W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AOT12N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 12A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-30
Ilość szt.: 50
|
||||||||||||
AOTF11S65L
N-MOSFET 650V 11A
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G90P04F
Tranzystor MOSFET; TO-220F; P-Channel; NO ESD; -40V; -68A; 83W; -1.5V; 6mΩ; 8mΩ AOTF4185;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AOTF4N90
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 3,6Ohm; 4A; 37W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 900V | 30V | 3,6Ohm | 4A | 37W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AOTF8N80
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,63Ohm; 7,4A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 800V | 30V | 1,63Ohm | 7,4A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AOTL66810
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; +/-20V; 1,25mOhm; 420A; 425W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 20V | 1,25mOhm | 420A | 425W | SMD | -55°C ~ 175°C | 8-PowerSFN | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AOY2610E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,5mOhm; 36,5A; 23,5W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,5mOhm | 36A | 23,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AP0704GMT
N-MOSFET 40V 62A 44,6W PMP6 AP0704GMT-HF AP0704GMT-HF-3 AP0704GMT-H
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC
SOT-23 MOSFETs RoHS Podobny do: AP2310GN-HF-3; VBsemi AP2310GN-VB;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AP2311GN
SOT-23-3 MOSFETs ROHS Odpowiednik: AP2311GN-VB; AP2311GN-HF; AP2311GN-HF-3-B22D;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AP2311GN JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
P-MOSFET | 60V | 20V | 240mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-25
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||
AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 4,1A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 110mOhm | 4,1A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
APT68GA60LD40
Tranzystor IGBT; PT; 600V; 300V; 198nC; 68A; 520W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
IGBT | 600V | 30V | 4,7Ohm | 68A | 520W | THT | -55°C ~ 150°C | TO264 | MICROCHIP | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRF3805S-7P International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 2,6mOhm; 240A; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 20V | 2,6mOhm | 240A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | Infineon Technologies | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRF7103Q
Trans N-MOSFET Si 50V 3A Automotive AUIRF7103QTR
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRF7313QTR
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,9A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 46mOhm | 6,9A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRFS8409-7P International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 0,75mOhm; 522A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 40V | 20V | 0,75mOhm | 522A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRGDC0250
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube AUIRGDC0250AKMA1
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRLR2905Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 16V | 22,5mOhm | 60A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AUIRLR3636
MOSFET N-CH 60V 99A Automotive AUIRLR3636TRL
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
BF245B
Tranzystor N-FET; 30V; 30V; 30V; 15mA; 300mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF545B SMD SOT23; obsolete;
|
|||||||||||||
N-FET | 30V | 30V | 30V | 15mA | 300mW | THT | -65°C ~ 150°C | TO92 | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 12V | 20V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT143 | Infineon Technologies | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.