2N7002 GALAXY

Symbol Micros: T2N7002 GAL
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3010 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0844 0,0334 0,0194 0,0142 0,0130
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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