2N7002 GALAXY
Symbol Micros:
T2N7002 GAL
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
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Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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