7002 SOT23 GAOGE

Symbol Micros: T2N7002 GAO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GAOGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: GAOGE Hersteller-Teilenummer: 7002 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5596 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0566 0,0212 0,0113 0,0085 0,0078
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GAOGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMA

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