2N7002 SHIKUES

Symbol Micros: T2N7002 SHK
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 430mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: 2N7002 12W RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0675 0,0260 0,0127 0,0101 0,0096
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 430mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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