2N7002H6327XTSA2 Infineon

Symbol Micros: T2N7002h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002H6327XTSA2 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
17910 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2199 0,1116 0,0677 0,0536 0,0489
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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