BSS84,215
Symbol Micros:
TBSS84 NXP
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (Automotive); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 130mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
125 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1545 | 0,0733 | 0,0413 | 0,0314 | 0,0281 |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
115800 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1545 | 0,0733 | 0,0413 | 0,0314 | 0,0281 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS84,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0281 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS84,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
525000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0281 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS84,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
2229000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0281 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-25
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 130mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Transistortyp: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Spannung Drain-Source: -50V
Drainstrom: 130mA
Leistung: 225mW
Gehäuse: SOT23
Montage: SMD
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