BSS84,215

Symbol Micros: TBSS84 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (Automotive); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
375 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1571 0,0746 0,0420 0,0319 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/90000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
143800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1571 0,0746 0,0420 0,0319 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
25000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
567000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power: 225mW
Case: SOT23
Mounting: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole