BSS84 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBSS84 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1031 0,0407 0,0237 0,0173 0,0159
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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