BSS84 SHIKUES

Symbol Micros: TBSS84 SHK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0992 0,0392 0,0228 0,0167 0,0152
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Die BSS84 Shikues Transistoren - einem thailändischen Hersteller von Halbleiterbauelementen - haben P-angereicherte Kanäle. Sie sind für den Betrieb bei höheren Spannungen ausgelegt und eignen ist daher gut für Stromversorgungsschaltungen. Sie verfügen über Dioden an den GS- und DS-Anschlüssen, die einen Überspannungsschutz bieten. Die zulässige Eingangsspannung (Gate-Source) des BSS84 Transistors beträgt ±20 V. Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt -60 V und der höchste Drainstrom (DC) 130 mA. Das Gehäuse ist ein oberflächenmontiertes SOT23. Bei Micros können Sie zahlreiche Äquivalente des BSS84 Transistors kaufen, die für unterschiedliche Betriebsspannungen und -ströme und Verlustleistungen geeignet sind.

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