BSS84 ONS

Symbol Micros: TBSS84
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
7859 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1875 0,0950 0,0575 0,0456 0,0416
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Standard-Verpackung:
3000/12000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS84LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0596
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS84LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
687000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0596
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS84 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
210000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0596
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 17Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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