BSS84 GALAXY

Symbol Micros: TBSS84 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0979 0,0385 0,0225 0,0165 0,0150
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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