2N7002H6327XTSA2 Infineon
Symbol Micros:
T2N7002h
109793
T2N7002h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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