BC817-40 GALAXY

Symbol Micros: TBC81740 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0744 0,0286 0,0140 0,0111 0,0106
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN