BSS138 GALAXY
Symbol Micros:
TBSS138 GAL
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
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Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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