BSS138 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBSS138 HXY
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 220mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 220mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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