BSS138 SLKOR

Symbol Micros: TBSS138 SLK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,0802 0,0309 0,0151 0,0120 0,0115
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Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

BSS138 Feldeffekt Transistor

Der BSS138 ist ein kleiner N-Kanal-MOSFET-Feldeffekttransistor, der sich für Logik- und Niederspannungsanwendungen eignet. Er bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und schnelles Schalten ohne übermäßige Wärmeentwicklung. Dies macht den BSS138 Feldeffekt Transistor zu einer hervorragenden Wahl für Projekte, die Präzision und Energieeffizienz erfordern.

Die angebotenen Feldeffekttransistoren haben eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 50V und einen Drainstrom (ID) von bis zu 220mA. Dank ihres kompakten SOT-23-Gehäuses lassen sie sich leicht auf Leiterplatten integrieren. Der BSS138 Feldeffekt Transistor garantiert Zuverlässigkeit und Leistung in Anwendungen wie der Steuerung größerer MOSFETs, der Umwandlung logischer Pegel oder der Steuerung von LED-Beleuchtung.