BSS138LT1G smd

Symbol Micros: TBSS138L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5Ω BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)]
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
171902 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1956 0,0991 0,0601 0,0477 0,0434
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Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1956 0,0991 0,0601 0,0477 0,0434
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Standard-Verpackung:
3000/30000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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