BSS84 GALAXY

Symbol Micros: TBSS84 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 12V; 10 Ohm; 130mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0980 0,0385 0,0225 0,0165 0,0151
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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