DH640 DONGHAI

Symbol Micros: TIRF640 DH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DH640 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7641 0,4802 0,3763 0,3555 0,3324
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT