IRFR5305TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR5305 JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 75 mOhm; 20A; 25W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR5305TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,6200 0,3884 0,3229 0,2878 0,2691
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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