IRLML6401 HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML6401 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,31W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML6401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
990 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2230 0,1117 0,0664 0,0552 0,0495
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,31W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD