IRLML6401 MLCCBASE

Symbol Micros: TIRLML6401 MLC
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MLCCBASE
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: MLCCBASE Hersteller-Teilenummer: IRLML6401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2204 0,0882 0,0513 0,0426 0,0401
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MLCCBASE
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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