Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2655)
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Transistor-Typ
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Stromverstärkungsfaktor
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Verlustleistung
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Grenzfrequenz
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Gehäuse
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Hersteller
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Transistorsysteme [J/N]
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Betriebstemperatur (Bereich)
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MPS2907A TO92(bulk,straight) LGE
Tranzystor: PNP; bipolarny; 60V; 0,8A; TO92 ODPOWIEDNIK: MPS2907A-LGE;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPS2907A-TA TO92(ammo,formed) CJ
60V 625mW 100@150mA,10V 600mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MPS2907A-TA(RANGE:200-300);
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA06 DIOTEC
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ersatz: MPSA06BK-DIO;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA44
Transistor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C; MPSA44 FOSHAN ; MPSA444 CJ ; MPSA44G-T92-A-B UTC ;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA44G-AB3-R
Transistor NPN; 240; 500mW; 500V; 300mA; -40°C~125°C; Transistor NPN; 240; 500mW; 500V; 300mA; -40°C~125°C;
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NPN | 240 | 500mW | 500V | 300mA | 50MHz | SOT89 | UTC | -40°C ~ 125°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA56 TO92 CJ (JIANGSU CHANGJING)
Transistor PNP; Bipolar; 80V; 4V; 100; 50MHz; 0,5A; 625mW; -55°C~150°C;
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PNP | 100 | 625mW | 80V | 500mA | 50MHz | TO92 | CJ | -55°C ~ 150°C | ||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 500
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MPSA56-TA TO92(taped) CJ
Trans. 80V 625mW 100@100mA,1V 500mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS AMMO FORMED;
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Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 500
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MPSA92 FAIRCHILD
PNP 500mA 300V 625mW 50MHz PNP 500mA 300V 625mW 50MHz
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PNP | 40 | 625mW | 300V | 500mA | 50MHz | TO92 | Fairchild | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KSP92A
250nA 300V 625mW 100@10mA,10V 500mA 50MHz 500mV@20mA,2mA +150?@(Tj) TO-92-3 Bipo 250nA 300V 625mW 100@10mA,10V 500mA 50MHz 500mV@20mA,2mA +150?@(Tj) TO-92-3 Bipo
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA92
Transistor PNP; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA92-AT/P
Transistor PNP; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA92
Transistor PNP; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
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MPSA92BK DComponents
BI Trst. 300V, 500mA, PNP BI Trst. 300V, 500mA, PNP
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MPSA94 TO92(bulk,straight pin) LGE
400V 625mW 175@10mA,10V 300mA PNP TO-92 Bipolar (BJT) ROHS REPLACEMENT: MPSA94-LGE;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA94 SOT89
400V 625mW 175@10mA,10V 300mA PNP TO-92 Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MPSA94G-AB3-R SOT-89 T/R; MPSA94SQ; MPSA94U;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPSA94 TO92(ammo,formed)
400V 625mW 175@10mA,10V 300mA PNP TO-92 Bipolar (BJT) ROHS
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NHDTA114EUF
NHDTA114EU/SOT323/SC-70 NHDTA114EU/SOT323/SC-70
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NJL0302DG
Transistor PNP 260V 15A TO264 Transistor PNP 260V 15A TO264
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PNP | 30MHz | |||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NST65010MW6T1G
Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SOT-363 Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SOT-363
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PBSS4350Z
NPN 3A 50V 2W 100MHz NPN 3A 50V 2W 100MHz
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NPN | 100MHz | |||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PDTA124XU NEXPERIA
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PDTC114ET
Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
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NPN | 30 | 200mW | 50V | 100mA | 250MHz | SOT23 | -55°C ~ 150°C | |||||
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PHPT60606NYX NXP
NPN 6A 60V 1.35W 180MHz
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PXT8050 China
NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PXT8550 China
PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PZTA44-QX
Transistor GP BJT NPN 500V 0.3A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 Transistor GP BJT NPN 500V 0.3A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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QS5K2TR
2N-MOSFET 30V 2A 1.25W 2N-MOSFET 30V 2A 1.25W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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S8050 China
NPN 500mA 25V 300mW 150MHz NPN 500mA 25V 300mW 150MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Bipolare Transistoren
Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.
Bipolarer Transistor – Symbol
Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.
Funktionsweise Bipolarer Transistoren
Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.
Katalog Bipolarer Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:
- Stromverstärkungsfaktor,
- Verlustleistung,
- maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
- maximaler Kollektorstrom,
- Gehäusetyp,
- Betriebstemperaturbereich.
Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.
Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!