Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2639)
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Transistor-Typ
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Stromverstärkungsfaktor
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Verlustleistung
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Grenzfrequenz
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Gehäuse
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Hersteller
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Transistorsysteme [J/N]
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Betriebstemperatur (Bereich)
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BCX51 China
PNP -1000mA -45V 1300mW 50MHz PNP -1000mA -45V 1300mW 50MHz
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Anzahl der Stücke: 1000
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BCX54 China
NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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BCX55 China
NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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Anzahl der Stücke: 100
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BCX55-16 China
NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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FMMT491 China
NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
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MMBTA06 China
NPN 500mA 80V 225mW 100MHz NPN 500mA 80V 225mW 100MHz
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MMBTA14 China
Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz
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MMBTA56 China
PNP -500mA -80V 225mW 50MHz PNP -500mA -80V 225mW 50MHz
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PXT8050 China
NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz
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PXT8550 China
PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz
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S8050 China
NPN 500mA 25V 300mW 150MHz NPN 500mA 25V 300mW 150MHz
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S9012 China
PNP -500mA -25V 300mW 150MHz PNP -500mA -25V 300mW 150MHz
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S9018 China
NPN 50mA 15V 200mW 700MHz NPN 50mA 15V 200mW 700MHz
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BD680AG
darl.PNP 4A 80V 40W 1MHz -55+150C darl.PNP 4A 80V 40W 1MHz -55+150C
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SMBTA92E6327 INFINEON
PNP 300V 500mA 360mW 50MHz PNP 300V 500mA 360mW 50MHz
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PNP | 40 | 360mW | 300V | 500mA | 50MHz | SOT23 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||
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2N5416
PNP 300V 1A PNP 300V 1A
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PNP | 120 | 1W | 300V | 1A | 15MHz | TO 39 | CDIL | -65°C ~ 200°C | ||||
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BU931T STMicroelectronics
Transistor Darlington NPN 400V 15A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Transistor Darlington NPN 400V 15A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NPN | 300 | 125W | 400V | 10A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 175°C | |||||
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BD242C
Transistor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
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PNP | 25 | 40W | 100V | 3A | 3MHz | TO220 | -65°C ~ 150°C | |||||
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EMH3FHAT2R
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1
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2N6059
Transistor Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Transistor Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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MMBT5551HE3-TP
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
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TTA006B,Q(S TOSHIBA
Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N
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2SD965A CJ
100nA 30V 750mW 5A 340@500mA,2V 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150?@(Tj) 100nA 30V 750mW 5A 340@500mA,2V 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150?@(Tj)
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MMBTRC101SS
Transistor : NPN ; Bipolar ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k? Transistor : NPN ; Bipolar ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k?
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BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323 Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
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PDTC114ET
Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
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NPN | 30 | 200mW | 50V | 100mA | 250MHz | SOT23 | -55°C ~ 150°C | |||||
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BC846C SOT23 YFW
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 6V; 800; 100MHz; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 30V; 6V; 800; 100MHz; 100mA; 200mW; -55°C~150°C;
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NPN | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | ||||
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2N6488G
NPN 15A 80V 75W (=BDP395) Similar to 2N6488;
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NPN | 200 | 75W | 90V | 15A | 4MHz | TO220 | ON | -55°C ~ 150°C | ||||
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TIP147T
darl.PNP 10A 100V 80W darl.PNP 10A 100V 80W
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PNP | 1000 | 90W | 100V | 10A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||||
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Bipolare Transistoren
Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.
Bipolarer Transistor – Symbol
Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.
Funktionsweise Bipolarer Transistoren
Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.
Katalog Bipolarer Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:
- Stromverstärkungsfaktor,
- Verlustleistung,
- maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
- maximaler Kollektorstrom,
- Gehäusetyp,
- Betriebstemperaturbereich.
Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.
Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!