Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2639)

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BCX51 China PNP -1000mA -45V 1300mW 50MHz PNP -1000mA -45V 1300mW 50MHz
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BCX51 China SOT89
                       
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BCX54 China NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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BCX54 China SOT89
 
 
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BCX55 China NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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BCX55 China SOT89
                       
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BCX55-16 China NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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BCX55-16 China SOT89
                       
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FMMT491 China NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
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FMMT491 China SOT23
 
 
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MMBTA06 China NPN 500mA 80V 225mW 100MHz NPN 500mA 80V 225mW 100MHz
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MMBTA06 China SOT23
 
 
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MMBTA14 China Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz
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MMBTA14 China SOT23
 
 
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MMBTA56 China PNP -500mA -80V 225mW 50MHz PNP -500mA -80V 225mW 50MHz
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MMBTA56 China SOT23
 
 
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PXT8050 China NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz
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PXT8050 China SOT89
 
 
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PXT8550 China PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz
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PXT8550 China SOT89
 
 
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S8050 China NPN 500mA 25V 300mW 150MHz NPN 500mA 25V 300mW 150MHz
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S8050 China SOT23
                       
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S9012 China PNP -500mA -25V 300mW 150MHz PNP -500mA -25V 300mW 150MHz
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S9012 China SOT23
                       
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S9018 China NPN 50mA 15V 200mW 700MHz NPN 50mA 15V 200mW 700MHz
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S9018 China SOT23
                       
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BD680AG darl.PNP 4A 80V 40W 1MHz -55+150C darl.PNP 4A 80V 40W 1MHz -55+150C
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BD680AG TO126
 
 
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SMBTA92E6327 INFINEON PNP 300V 500mA 360mW 50MHz PNP 300V 500mA 360mW 50MHz
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SMBTA92E6327 INFINEON SOT23
  PNP 40 360mW 300V 500mA 50MHz SOT23 Infineon Technologies -65°C ~ 150°C
 
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2N5416 PNP 300V 1A PNP 300V 1A
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2N5416 TO 39
  PNP 120 1W 300V 1A 15MHz TO 39 CDIL -65°C ~ 200°C
 
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BU931T STMicroelectronics Transistor Darlington NPN 400V 15A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Transistor Darlington NPN 400V 15A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BU931T STMicroelectronics TO220
  NPN 300 125W 400V 10A TO220 STMicroelectronics -65°C ~ 175°C
 
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BD242C Transistor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
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BD242C TO220
  PNP 25 40W 100V 3A 3MHz TO220 -65°C ~ 150°C
 
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EMH3FHAT2R Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1
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EMH3FHAT2R SOT563
 
 
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2N6059 Transistor Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Transistor Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N6059 TO 3
 
 
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MMBT5551HE3-TP Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
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MMBT5551HE3-TP SOT23
 
 
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TTA006B,Q(S TOSHIBA Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N
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TTA006B,Q(S TOSHIBA TO126
 
 
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2SD965A CJ 100nA 30V 750mW 5A 340@500mA,2V 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150?@(Tj) 100nA 30V 750mW 5A 340@500mA,2V 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150?@(Tj)
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2SD965A CJ SOT89
 
 
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MMBTRC101SS Transistor : NPN ; Bipolar ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k? Transistor : NPN ; Bipolar ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k?
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MMBTRC101SS SOT23
 
 
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BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323 Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
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BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY SOT323
 
 
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PDTC114ET Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
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PDTC114ET SOT23
  NPN 30 200mW 50V 100mA 250MHz SOT23 -55°C ~ 150°C
 
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BC846C SOT23 YFW Transistor NPN; Bipolar; 30V; 6V; 800; 100MHz; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 30V; 6V; 800; 100MHz; 100mA; 200mW; -55°C~150°C;
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BC846C SOT23 YFW SOT23
  NPN 800 200mW 30V 100mA 100MHz SOT23 YFW -55°C ~ 150°C
 
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2N6488G NPN 15A 80V 75W (=BDP395) Similar to 2N6488;
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2N6488G TO220
  NPN 200 75W 90V 15A 4MHz TO220 ON -55°C ~ 150°C
 
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TIP147T darl.PNP 10A 100V 80W darl.PNP 10A 100V 80W
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TIP147T TO220
  PNP 1000 90W 100V 10A TO220 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
 
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Bipolare Transistoren

Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.

Bipolarer Transistor – Symbol

Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.

Funktionsweise Bipolarer Transistoren

Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.

Katalog Bipolarer Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Stromverstärkungsfaktor,
  • Verlustleistung,
  • maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
  • maximaler Kollektorstrom,
  • Gehäusetyp,
  • Betriebstemperaturbereich.

Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.

Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!