Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2655)
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Transistor-Typ
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Stromverstärkungsfaktor
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Verlustleistung
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Grenzfrequenz
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Transistorsysteme [J/N]
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Betriebstemperatur (Bereich)
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BFR181E6327HTSA1
NPN 12V 0.02A 0.175W NPN 12V 0.02A 0.175W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BFR520 smd
NPN 70mA 15V 300mW 9GHz NPN 70mA 15V 300mW 9GHz
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NPN | 250 | 300mW | 15V | 70mA | 9GHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 175°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BFS17A smd
NPN 25mA 15V 300mW 2,8GHz NPN 25mA 15V 300mW 2,8GHz
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NPN | 90 | 300mW | 15V | 25mA | 2,8GHz | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BFS17W NXP
NPN 15V 50mA 300mW NPN 15V 50mA 300mW
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NPN | 150 | 280mW | 15V | 25mA | 2,5GHz | SOT323 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BFU690F,115
Transistor RF BJT NPN 5.5V 0.1A 230mW 4-Pin(3+Tab) DFP Transistor RF BJT NPN 5.5V 0.1A 230mW 4-Pin(3+Tab) DFP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BU2508DF iso
NPN 8A 700V 45W +diode NPN 8A 700V 45W +diode
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NPN | 13 | 45W | 700V | 8A | TO 3Piso (SOT199) | -65°C ~ 150°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BU2520DF SOT199
NPN 10A 800V 45W NPN 10A 800V 45W
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NPN | 13 | 45W | 800V | 10A | TO 3Piso (SOT199) | -65°C ~ 150°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BU508DF iso
NPN 8A 700V 125W NPN 8A 700V 125W
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NPN | 30 | 34W | 700V | 8A | 7MHz | TO 3Piso (SOT199) | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BU931T STMicroelectronics
Transistor Darlington NPN 400V 15A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Transistor Darlington NPN 400V 15A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NPN | 300 | 125W | 400V | 10A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 175°C | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BUV48A
NPN 15A 450V 150W CYD Mhz NPN 15A 450V 150W CYD Mhz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NPN | 8 | 125W | 450V | 15A | TO 3P | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | |||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 100
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BXP18N50F BRIDGELUX
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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C2M1000170D Cree/Wolfspeed
N-MOSFET 1700V 4.9A N-MOSFET 1700V 4.9A
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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D44H8G
Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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NPN | 60 | 2W | 60V | 10A | 50MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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D45H11FP STMicroelectronics
Transistor GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube Transistor GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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DDTC113ZUA-7-F
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN3023L-7
Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DXTN07100BP5-13
Transistor GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R Transistor GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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EMH3FHAT2R
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FMMT458 SHIKUES
NPN-Transistor; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: FMMT458TA; FMMT458TC;
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NPN | 300 | 500mW | 400V | 225mA | 50MHz | SOT23 | SHIKUES | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FMMT491 China
NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FMMT617 DIODES
FMMT617 Series NPN 3 A 15 V SMT Silicon Power Transistor - SOT-23 FMMT617 Series NPN 3 A 15 V SMT Silicon Power Transistor - SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FZT649
NPN 3A 25V 2W 240MHz NPN 3A 25V 2W 240MHz
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NPN | 300 | 3W | 25V | 3A | 240MHz | SOT223 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FZT788B
PNP 3A 15V 2W PNP 3A 15V 2W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PNP | 1500 | 2W | 15V | 3A | 100MHz | SOT223 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 100
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KSA1220A
PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz
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PNP | 320 | 1,2W | 160V | 1,2A | 175MHz | TO126 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KSH122TF
NPN 8A 100V 1.75W NPN 8A 100V 1.75W
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NPN | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | TO252 (DPACK) | Fairchild | -65°C ~ 150°C | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LGE18N50F LGE
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LGE2N65D TO252 LGE
Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-20
Anzahl der Stücke: 500
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LND150N3-G
Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92
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N-MOSFET | 740mW | 500V | 30mA | TO92 | Supertex | -55°C ~ 150°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Bipolare Transistoren
Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.
Bipolarer Transistor – Symbol
Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.
Funktionsweise Bipolarer Transistoren
Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.
Katalog Bipolarer Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:
- Stromverstärkungsfaktor,
- Verlustleistung,
- maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
- maximaler Kollektorstrom,
- Gehäusetyp,
- Betriebstemperaturbereich.
Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.
Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!