BSS123LT1G

Symbol Micros: TBSS123
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS123LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
18530 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3920 0,2200 0,1670 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS123 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
438000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
951000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
354000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-30
Ilość szt.: 6000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD