BSS123LT1G
Symbol Micros:
TBSS123
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3150 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSS123
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
534000 szt.
ilość szt. | 30000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1650 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSS123LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
867600 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1650 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSS123LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
405000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1650 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |