BSS123 UMW
Symbol Micros:
TBSS123 UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3150 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
Sposób pakowania: 3000/15000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
534000 szt.
| Ilość szt. | 30000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
867600 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
405000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
37730 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6440 | 0,3060 | 0,1720 | 0,1310 | 0,1170 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
69000 szt.
| Ilość szt. | 30000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1380 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
1062000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1380 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
1857000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1380 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
Producent:
Fairchild
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
15 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5090 | 0,2340 | 0,1270 | 0,0951 | 0,0849 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123-7-F DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123-13-F;
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
5800 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9280 | 0,5130 | 0,3410 | 0,2850 | 0,2650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
30000 szt.
| Ilość szt. | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2650 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
7233000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
42000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0883 | 0,0646 | 0,0590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3580 | 0,1410 | 0,0823 | 0,0602 | 0,0550 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4490 | 0,1770 | 0,1030 | 0,0755 | 0,0690 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1500 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4360 | 0,1720 | 0,1000 | 0,0733 | 0,0670 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)