BSS123 JUXING

Symbol Micros: TBSS123 JUX
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: JUXING
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: JUXING
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD