BSS123-7-F DIODES
Symbol Micros:
TBSS123-7-F Diodes
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123-13-F;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 300mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5800 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9280 | 0,5130 | 0,3410 | 0,2850 | 0,2650 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123-13-F
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2650 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123-7-F
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
9303000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2650 |
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 300mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |