DH640 DONGHAI
Symbol Micros:
TIRF640 DH
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Donghai |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Donghai |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF640NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NPBF; IRF 640 N; IRF 640 N PBF; IRF640N;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF640NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
950 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 4,4100 | 3,2400 | 2,6000 | 2,2300 | 2,1000 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF640NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
2110 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 2,1000 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF640NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
125 szt.
| Ilość szt. | 1+ |
| cena netto (PLN) | 2,8815 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
IRF640NPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
IRF640N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
150 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 3,6800 | 2,7000 | 2,1600 | 1,8600 | 1,7500 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
IRF640 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
IRF640 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
56 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,3600 | 2,1300 | 1,6800 | 1,5300 | 1,4600 |
Sposób pakowania: 50/200
Ilość (wielokrotność 1)
IRF640NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRF640NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
73 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,0100 | 1,5700 | 1,4800 | 1,3900 |
Sposób pakowania: 50/100
Ilość (wielokrotność 1)
IRF640NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRF640NPBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,0300 | 1,6000 | 1,4600 | 1,3900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)