IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n

Obudowa: TO220

Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NPBF; IRF 640 N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	150mOhm
Maksymalny prąd drenu:	18A
Maksymalna tracona moc:	150W
Obudowa:	TO220
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	200V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220

Stan magazynowy:

683 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,7700	2,3900	1,8900	1,7200	1,6400

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

10900 szt.

ilość szt.	1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,6400

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

11730 szt.

ilość szt.	400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,6400

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

2420 szt.

ilość szt.	1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,6585

Rezystancja otwartego kanału:	150mOhm
Maksymalny prąd drenu:	18A
Maksymalna tracona moc:	150W
Obudowa:	TO220
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	200V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	2+	10+	50+	100+	400+
cena netto (PLN)	3,3100	2,0800	1,6300	1,5400	1,4400

Ilość szt.	1+	3+	10+	50+	200+
cena netto (PLN)	3,6800	2,7000	2,1600	1,8600	1,7500

Ilość szt.	2+	10+	50+	100+	400+
cena netto (PLN)	3,2000	2,0100	1,5700	1,4800	1,3900