IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NPBF; IRF 640 N; IRF 640 N PBF; IRF640N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
950 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4100 3,2400 2,6000 2,2300 2,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2110 szt.
ilość szt. 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF640NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
125 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,8815
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta