IRF640 SLKOR

Symbol Micros: TIRF640n SLK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: SLKOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: SLKOR Symbol producenta: IRF640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
56 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,3600 2,1300 1,6800 1,5300 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: SLKOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT