Tranzystory polowe (wyszukane: 5443)

1    118  119  120  121  122  123  124  125  126    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSC030N03LSGATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC030N03LSGATMA1 || BSC030N03LSGATMA1 INFINEON  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC030N03LSGATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC030N04NSGATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC030N04NSGATMA1 || BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC030N04NSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC030P03NS3G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
BSC030P03NS3GAUMA1 || BSC030P03NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC030P03NS3GAUMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7447
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 25V 4,6mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC031N06NS3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP
BSC031N06NS3GATMA1 || BSC031N06NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC031N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2066
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC031N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0779
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC032N04LS Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON BSC032N04LSATMA1
BSC032N04LSATMA1 || BSC032N04LS TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC032N04LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2742
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC032NE2LS Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP BSC032NE2LSATMA1
BSC032NE2LSATMA1 || BSC032NE2LS TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC032NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9334
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC039N06NS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,9mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC039N06NSATMA1; SP000985386;
BSC039N06NSATMA1 || BSC039N06NS Infineon TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC039N06NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 5,9mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC0503NSIATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP
BSC0503NSIATMA1 || BSC0503NSIATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0503NSIATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3143
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0504NSIATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP
BSC0504NSIATMA1 || BSC0504NSIATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0504NSIATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0279
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC050N04LSGATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP
BSC050N04LSGATMA1 || BSC050N04LSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC050N04LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0001
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC052N03LSATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP
BSC052N03LSATMA1 || BSC052N03LSATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC052N03LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9168
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC052N08NS5ATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP
BSC052N08NS5ATMA1 || BSC052N08NS5ATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC052N08NS5ATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC052N08NS5ATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0713
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC054N04NS G N-MOSFET 81A 40V 57W 0.0054Ω
BSC054N04NSGATMA1 || BSC054N04NS G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC054N04NSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC054N04NSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
BSC057N08NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 11mOhm; 100A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC057N08NS3GATMA1;
BSC057N08NS3GATMA1 || BSC057N08NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC057N08NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1842
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 20V 11mOhm 100A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC057N08NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0965
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 20V 11mOhm 100A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC059N04LS6 Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC059N04LS6ATMA1
BSC059N04LS6ATMA1 || BSC059N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC059N04LS6ATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2921
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC060N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,5mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060N10NS3GATMA1; BSC060N10NS3G;
BSC060N10NS3GATMA1 || BSC060N10NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC060N10NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6852
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 11,5mOhm 90A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC060N10NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7972
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 11,5mOhm 90A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC060P03NS3E Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,6mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060P03NS3EGATMA1;
BSC060P03NS3EGATMA1 || BSC060P03NS3E TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC060P03NS3EGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3890
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 25V 9,6mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC066N06NS N-MOSFET 64A 60V 46W 0.0066Ω BSC066N06NSATMA1
BSC066N06NSATMA1 || BSC066N06NS TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC066N06NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3068
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 6,6mOhm 64A 46W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 INFINEON
BSC067N06LS3 G N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0067Ω BSC067N06LS3GATMA1
BSC067N06LS3GATMA1 || BSC067N06LS3 G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC067N06LS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
125000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4229
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC067N06LS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4823
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
BSC076N06NS3 G N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0076Ω BSC076N06NS3GATMA1
BSC076N06NS3GATMA1 || BSC076N06NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
335000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8692
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1316
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
BSC077N12NS3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP
BSC077N12NS3GATMA1 || BSC077N12NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC077N12NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,2617
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC082N10LSGATMA1 Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP
BSC082N10LSGATMA1 || BSC082N10LSGATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC082N10LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,1924
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0901NSATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP BSC0901NS; SP000800248
BSC0901NSATMA1 || BSC0901NSATMA1 INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0901NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2224
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0901NSIATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
BSC0901NSIATMA1 || BSC0901NSIATMA1 INFINEON  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0901NSIATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4846
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0901NSIATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5465
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0902NSATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP
BSC0902NSATMA1 || BSC0902NSATMA1 INFINEON  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0902NSATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2279
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0902NSIATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
BSC0902NSIATMA1 || BSC0902NSIATMA1 INFINEON  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0902NSIATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1168
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0904NSIATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP
BSC0904NSIATMA1 || BSC0904NSIATMA1 INFINEON  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0904NSIATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5059
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC090N03LSGATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON
BSC090N03LSGATMA1 || BSC090N03LSGATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC090N03LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7976
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC0910NDIATMA1 Trans MOSFET N-CH 25V 22A/36A 8-Pin TISON EP
BSC0910NDIATMA1 || BSC0910NDIATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0910NDIATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8059
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
BSC093N04LS G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,7mOhm; 49A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC093N04LSGATMA1;
BSC093N04LSGATMA1 || BSC093N04LS G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC093N04LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
169980 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7201
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 13,7mOhm 49A 35W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC093N04LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7501
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 13,7mOhm 49A 35W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
1    118  119  120  121  122  123  124  125  126    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.