Tranzystory polowe (wyszukane: 5443)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC030N03LSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC030N04NSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC030P03NS3G Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030P03NS3GAUMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 4,6mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC031N06NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC031N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC031N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC032N04LS
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON BSC032N04LSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC032N04LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC032NE2LS
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP BSC032NE2LSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC032NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC039N06NS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,9mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC039N06NSATMA1; SP000985386;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC039N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,9mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||
BSC0503NSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0503NSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0504NSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0504NSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC050N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC050N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC052N03LSATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC052N03LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC052N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC052N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC052N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC054N04NS G
N-MOSFET 81A 40V 57W 0.0054Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC054N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC054N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSC057N08NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 11mOhm; 100A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC057N08NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC057N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 11mOhm | 100A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC057N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 11mOhm | 100A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC059N04LS6
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC059N04LS6ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC059N04LS6ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | ||||||||||
BSC060N10NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,5mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060N10NS3GATMA1; BSC060N10NS3G;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 11,5mOhm | 90A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 11,5mOhm | 90A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC060P03NS3E
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,6mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060P03NS3EGATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060P03NS3EGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,6mOhm | 100A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||
BSC066N06NS
N-MOSFET 64A 60V 46W 0.0066Ω BSC066N06NSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC066N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,6mOhm | 64A | 46W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | INFINEON | |||||
BSC067N06LS3 G
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0067Ω BSC067N06LS3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC067N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
125000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC067N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSC076N06NS3 G
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0076Ω BSC076N06NS3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
335000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,6mOhm | 75A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDFN08 | INFINEON | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,6mOhm | 75A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDFN08 | INFINEON | |||||
BSC077N12NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC077N12NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC082N10LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC082N10LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0901NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP BSC0901NS; SP000800248
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0901NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0901NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0901NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0901NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0902NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0902NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0904NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0904NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC090N03LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC090N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0910NDIATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 22A/36A 8-Pin TISON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0910NDIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC093N04LS G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,7mOhm; 49A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC093N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
169980 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 13,7mOhm | 49A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 13,7mOhm | 49A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.