Tranzystory polowe (wyszukane: 5443)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS670S2LH6327 Infineon
N-MOSFET 55V 540mA 650mΩ 360mW BSS670S2LH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS670S2LH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
147000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS670S2LH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
237000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS670S2LH6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84-TP
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS84-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1374000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS8402DWQ-13
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 BSS8402DWQ-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DWQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84DWQ-13
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 BSS84DWQ-7
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DWQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DWQ-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84Q-13-F
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84Q-7-F
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84Q-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
290000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84Q-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84Q-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSS84WQ-7-F
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-323
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84WQ-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
498000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ018NE2LSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ028N04LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ031NE2LS5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 18A
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ033NE2LS5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 19A
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ034N04LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ034N04LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R BSZ035N03LSGATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ035N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5012 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ036NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ039N06NSATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R BSZ039N06NSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ039N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TSDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ040N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R BSZ042N06NSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ042N06NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ042N06NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ0500NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 30A
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ0500NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ0501NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R BSZ050N03LSGATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ050N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ050N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ0589NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ0589NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ063N04LS6ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ065N03LSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ067N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R BSZ068N06NSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ068N06NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ084N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSZ086P03NS3 G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 13.4mOhm; 40A; 69W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ086P03NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TSDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 13,4mOhm | 40A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSZ086P03NS3E G INFINEON
P-MOSFET 40A 30V 69W 0.086Ω ESD protected BSZ086P03NS3EGATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ086P03NS3EGATMA1 Obudowa dokładna: TSDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | SMD | -55°C ~ 150°C | TSDSON08 | Infineon Technologies | ||||||||||
BSZ0902NS
N-MOSFET 40A 30V 2.6mOhm
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ0902NSATMA1 Obudowa dokładna: TSDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.